• F450R07W1H3B11ABOMA1IGBT ICの破片650V 55A 200W
F450R07W1H3B11ABOMA1IGBT ICの破片650V 55A 200W

F450R07W1H3B11ABOMA1IGBT ICの破片650V 55A 200W

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ブランド名: original
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モデル番号: F450R07W1H3B11ABOMA1

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詳細情報

電圧-コレクターのエミッターの故障(最高): 650ボルト 現在-コレクター((最高) IC): 55 A
パワー最高: 200 W Vce () (最高) @ Vge、IC: 1.85V @ 15V、25A
現在-コレクターの締切り(最高): 50μA 入れられたキャパシタンス(Cies) @ Vce: 3.25 nF @ 25ボルト
実用温度: -40°C | 150°C (TJ) IGBTタイプ: トレンチフィールドストップ
ハイライト:

F450R07W1H3B11ABOMA1IGBT

,

650V 55A ICの破片

,

55A 200W ICの破片

製品の説明

F450R07W1H3B11ABOMA1IGBTの集積回路の破片650 V 55 A 200 W
 
IGBTモジュールの堀の視野絞り完全な橋インバーター650 V 55 A 200 Wシャーシの台紙モジュール
 
F450R07W1H3B11ABOMA1の指定

 

タイプ 記述
部門 分離した半導体製品
トランジスター
IGBTs
IGBTモジュール
Mfr インフィニオン・テクノロジーズ
シリーズ EasyPACK™
パッケージ
プロダクト状態 活動的
IGBTのタイプ 堀の視野絞り
構成 完全な橋インバーター
電圧-コレクターのエミッターの故障(最高) 650ボルト
現在-コレクター((最高) IC) 55 A
パワー最高 200 W
Vce () (最高) @ Vge、IC 1.85V @ 15V、25A
現在-コレクターの締切り(最高) 50 µA
入れられたキャパシタンス(Cies) @ Vce 3.25 nF @ 25ボルト
入力 標準
NTCのサーミスター はい
実用温度 -40°C | 150°C (TJ)
タイプの取付け シャーシの台紙
パッケージ/場合 モジュール
製造者装置パッケージ モジュール
基礎プロダクト数 F450R07

 
F450R07W1H3B11ABOMA1特徴

 

•Increasedblockingvoltagecapabilityto650V
•HighSpeedIGBTH3
•Lowinductivedesign
•LowSwitchingLosses
•LowVCEsat
•2.5kVAC1minInsulation
•HighCreepageandClearanceDistances
•PressFITContactTechnology
•RoHScompliant
•統合された取付けクランプによる険しい土台

 


F450R07W1H3B11ABOMA1適用
 
•AutomotiveApplications
•HighFrequencySwitchingApplication
•DC/DCconverter
•AuxiliaryInverters
•HybridElectricalVehicles (H) EV
•InductiveHeatingandWelding
 
F450R07W1H3B11ABOMA1環境及び輸出分類

 

属性 記述
RoHSの状態 迎合的なROHS3
湿気感受性のレベル(MSL) 1 (無制限)
範囲の状態 変化しないに達しなさい
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

 
F450R07W1H3B11ABOMA1IGBT ICの破片650V 55A 200W 0

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