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詳細情報 |
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| 記憶容量: | 4Mビット | 記憶構成: | 256K×16 |
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| 記憶インターフェイス: | 平行 | 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: | 45ns |
| アクセス時間: | 45 ns | 電圧-供給: | 2.2V | 3.6V |
| 実用温度: | -40°C | 85°C （TA） | 記憶フォーマット: | SRAM |
| ハイライト: | CY62147G30-45ZSXAT,IC 4MBITの平行45NS,44TSOP集積回路の破片 |
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製品の説明
CY62147G30-45ZSXATの集積回路の破片IC 4Mbit平行45 ns 44-TSOP
IC SRAM 4MBITの平行44TSOP II
CY62147G30-45ZSXATの指定
| タイプ | 記述 |
| 部門 | 集積回路（IC） |
| 記憶 | |
| 記憶 | |
| Mfr | インフィニオン・テクノロジーズ |
| シリーズ | MoBL® |
| パッケージ | テープ及び巻き枠（TR） |
| 切りなさいテープ（CT）を | |
| プロダクト状態 | 活動的 |
| 記憶タイプ | 揮発 |
| 記憶フォーマット | SRAM |
| 技術 | SRAM -非同期 |
| 記憶容量 | 4Mbit |
| 記憶構成 | 256K X 16 |
| 記憶インターフェイス | 平行 |
| 周期にタイムの単語、ページを書きなさい | 45ns |
| アクセス時間 | 45 ns |
| 電圧-供給 | 2.2V | 3.6V |
| 実用温度 | -40°C | 85°C （TA） |
| タイプの取付け | 表面の台紙 |
| パッケージ/場合 | 44-TSOP （0.400"、10.16mmの幅） |
| 製造者装置パッケージ | 44-TSOP II |
| 基礎プロダクト数 | CY62147 |
CY62147G30-45ZSXATの特徴
■高速:45 ns/55 ns
■温度較差
自動車❐:-40のCから+85C
自動車E ❐:-40のCから+125C
■超低い予備発電
❐の典型的なスタンバイの流れ:3.5A
■シングル・ビットのエラー修正のための埋め込まれたECC [1、2つ]
■広い電圧範囲:2.2 Vから3.6ボルト
■1.0-Vデータ保持
■TTL互換性がある入出力
■Pbなしの48ボールVFBGAおよび44ピンTSOP IIパッケージ
CY62147G30-45ZSXATの機能の記述
CY62147G/CY621472Gは埋め込まれたECCの高性能CMOSローパワー（MoBL） SRAM装置である。装置は両方ともある
単一および二重破片で提供されて多数ピン構成の選択をおよび可能にしなさい。
CY62147G30-45ZSXATの環境及び輸出分類
| 属性 | 記述 |
| RoHSの状態 | 迎合的なROHS3 |
| 湿気感受性のレベル（MSL） | 3 （168時間） |
| 範囲の状態 | 変化しないに達しなさい |
| ECCN | 3A991B2A |
| HTSUS | 8542.32.0041 |
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