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詳細情報 |
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| インターフェイス: | PWM | 現在-出力/チャネル: | 60A |
|---|---|---|---|
| 現在-ピーク出力: | 90A | 電圧-供給: | 4.5V | 5.5V |
| 電圧-負荷: | 4.5V | 16V | 実用温度: | -55°C | 150°C （TJ） |
| 負荷タイプ: | 誘導 | 技術力: | MOSFET |
| ハイライト: | CSD95372BQ5M,60A半分橋運転者IC,12LSON半分橋運転者 |
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製品の説明
CSD95372BQ5Mの温度検出器の破片IC半分橋運転者60A 12LSON
半分橋運転者の同期木びき台のコンバーター力MOSFET 12-LSON-CLIP （5x6）
CSD95372BQ5Mの指定
| タイプ | 記述 |
| 部門 | 集積回路（IC） |
| 力管理（PMIC） | |
| 完全な半橋運転者 | |
| Mfr | テキサス・インスツルメント |
| シリーズ | NexFET™ |
| パッケージ | テープ及び巻き枠（TR） |
| 切りなさいテープ（CT）を | |
| プロダクト状態 | 活動的 |
| 出力環境設定 | 半分橋 |
| 適用 | 同期木びき台のコンバーター |
| インターフェイス | PWM |
| 負荷タイプ | 誘導 |
| 技術 | 力MOSFET |
| Rdsの（タイプ） | - |
| 現在-出力/チャネル | 60A |
| 現在-ピーク出力 | 90A |
| 電圧-供給 | 4.5V | 5.5V |
| 電圧-負荷 | 4.5V | 16V |
| 実用温度 | -55°C | 150°C （TJ） |
| 特徴 | ブートストラップ回路、状態の旗 |
| 欠陥の保護 | 現在シュートによって、短絡、UVLOを、温度に、限る |
| タイプの取付け | 表面の台紙 |
| パッケージ/場合 | 12-PowerLFDFN |
| 製造者装置パッケージ | 12-LSON-CLIP （5x6） |
| 基礎プロダクト数 | CSD95372 |
CSD95372BQ5Mの特徴
•60 Aの連続的な動作電流の機能
•93.4% 30 Aのシステム効率
•30 Aの2.8 Wの低い電力の損失
•高周波操作（1.25までMHz）
•FCCMのダイオードのエミュレーション・モード
•温度は二方向の現在の感覚を償った
•アナログの温度の出力（0°C）の600 mV
•欠陥の監視
–高側の不足分、過電流および過熱保護
•3.3および互換性がある5-V PWM信号
•三国から成ったPWMは入った
•統合されたブートストラップのダイオード
•保護によるシュートのための最大限に活用されたDeadtime
•高密度息子5の× 6つのmmの足跡
•超低いインダクタンス パッケージ
•システムによって最大限に活用されるPCBの足跡
•迎合的なRoHS –無鉛末端のめっき
•自由なハロゲン
•93.4% 30 Aのシステム効率
•30 Aの2.8 Wの低い電力の損失
•高周波操作（1.25までMHz）
•FCCMのダイオードのエミュレーション・モード
•温度は二方向の現在の感覚を償った
•アナログの温度の出力（0°C）の600 mV
•欠陥の監視
–高側の不足分、過電流および過熱保護
•3.3および互換性がある5-V PWM信号
•三国から成ったPWMは入った
•統合されたブートストラップのダイオード
•保護によるシュートのための最大限に活用されたDeadtime
•高密度息子5の× 6つのmmの足跡
•超低いインダクタンス パッケージ
•システムによって最大限に活用されるPCBの足跡
•迎合的なRoHS –無鉛末端のめっき
•自由なハロゲン
TCSD95372BQ5Mの適用
•多相同期木びき台のコンバーター
–高周波適用
– High-Current、低義務周期の塗布
•ポールDC-DCのコンバーター
•記憶およびグラフィックス・カード
•卓上およびサーバーVR11.x/VR12.xのV中心および記憶同期変流機
CSD95372BQ5Mの環境及び輸出分類
| 属性 | 記述 |
| RoHSの状態 | 迎合的なROHS3 |
| 湿気感受性のレベル（MSL） | 2 （1年） |
| 範囲の状態 | 変化しないに達しなさい |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8542.39.0001 |
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