• MC74LCX541DWG 	要素の3州の出力20-SOICごとの集積回路の破片8ビット
MC74LCX541DWG 	要素の3州の出力20-SOICごとの集積回路の破片8ビット

MC74LCX541DWG 要素の3州の出力20-SOICごとの集積回路の破片8ビット

商品の詳細:

起源の場所:
ブランド名: onsemi
証明: Original
モデル番号: MC74LCX541DWG

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詳細情報

部品番号: MC74LCX541DWG 要素の数: 1
要素ごとのビットの数: 8 出力タイプ: 3 ステート
電圧-供給: 2V | 3.6V 実用温度: -40°C | 85°C (TA)
製造者装置パッケージ: 20-SOIC 現在-高い出力低い: 24mA

製品の説明

要素の3州の出力20-SOICごとのMC74LCX541DWGの集積回路の破片8ビット

 

要素の3州の出力20-SOICごとの1つの要素8ビットを非逆にする緩衝

 

MC74LCX541はnon−inverting高性能、8 non−invertingである
2.3から3.6ボルトの供給から作動する緩衝。この装置は類似している
流れを提供している間MC74LCX244への機能、
建築。かなり高いインピーダンスTTL多用性がある入力
入力運転者に現在のローディングを間、TTLの多用性がある出力減らす
提供は転換の騒音の性能を改善した。

 

MC74LCX541DWGの特徴

 

•2.3から3.6ボルトVCC操作のために設計されている
•5ボルトの5ボルトTTLの論理の耐久性がある−インターフェイス機能
•サポートは挿入および回収を住んでいる
•IOFFの指定は高いインピーダンスを時VCCの= 0ボルト保証する
•互換性があるLVTTL
•互換性があるLVCMOS
•24 mAは出力流しおよび源の機能のバランスをとった
•すべての3つの論理の州(A) 10のゼロ静的な供給の流れの近く
大幅にシステム電力要求事項を減らす
•Latchupの性能は500 mAを超過する
•ESDの性能:
*人体モデル> 2000ボルト
*機械モデル> 200ボルト
•自動車および他の適用要求のためのNLVの接頭辞
独特な場所および制御変化の条件;AEC−Q100
可能な修飾され、PPAP
•これらの装置はPb−Freeの自由なハロゲンFree/BFR RoHSである
迎合的

 

MC74LCX541DWG指定

 

Mfr
onsemi
シリーズ
74LCX
プロダクト状態
活動的
論理のタイプ
緩衝し、非逆になる
要素の数
1
要素ごとのビットの数
8
入れられたタイプ
-
出力タイプ
3州
現在-高い出力低い
24mA、24mA
電圧-供給
2V | 3.6V
実用温度
-40°C | 85°C (TA)
タイプの取付け
表面の台紙
パッケージ/場合
20-SOIC (0.295"、7.50mmの幅)
製造者装置パッケージ
20-SOIC
基礎プロダクト数
74LCX541

 

範囲(−10 ̊

環境及び輸出分類


avck-を使って

属性 記述
RoHSの状態 迎合的なROHS3
湿気感受性のレベル(MSL) 3 (168時間)
範囲の状態 変化しないに達しなさい
ECCN EAR99
HTSUS 8542.39.0001

 

MC74LCX541DWG

 

MC74LCX541DWG 	要素の3州の出力20-SOICごとの集積回路の破片8ビット 0

  

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