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詳細情報 |
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| プロダクト状態: | 活動的 | FETのタイプ: | N-Channel |
|---|---|---|---|
| 技術: | MOSFET （金属酸化物） | 現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C: | 22A （Ta）、100A （Tc） |
| ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）: | 6V、10V | （最高） @ ID、VgsのRds: | 3.4mOhm @ 25A、10V |
| Vgs （（最高） Th） @ ID: | 3.4mOhm @ 25A、10V | 流出させなさいに源の電圧（Vdss）: | 60ボルト |
製品の説明
CSD18532NQ5Bの集積回路の破片Mosfet N CH 60v 22a/100a 8vson
木びき台の切換え調整装置IC LM2676SX-ADJ NOPBの陽性調節可能な1.2V
CSD18532NQ5Bの指定
| タイプ | 記述 |
| 部門 | 分離した半導体製品 |
| トランジスター | |
| FETs、MOSFETs | |
| 単一のFETs、MOSFETs | |
| Mfr | テキサス・インスツルメント |
| シリーズ | NexFET™ |
| パッケージ | テープ及び巻き枠（TR） |
| 切りなさいテープ（CT）を | |
| Digi巻き枠の庐 | |
| プロダクト状態 | 活動的 |
| FETのタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET （金属酸化物） |
| 流出させなさいに源の電圧（Vdss） | 60ボルト |
| 現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C | 22A （Ta）、100A （Tc） |
| ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds） | 6V、10V |
| （最高） @ ID、VgsのRds | 3.4mOhm @ 25A、10V |
| Vgs （（最高） Th） @ ID | 3.4mOhm @ 25A、10V |
| ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs | 64 NC @ 10ボルト |
| Vgs （最高） | ±20V |
| 入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds | 5340 pF @ 30ボルト |
| FETの特徴 | - |
| 電力損失（最高） | 3.2W （Ta） |
| 実用温度 | -55°C | 150°C （TJ） |
| タイプの取付け | 表面の台紙 |
| 製造者装置パッケージ | 8-VSON-CLIP （5x6） |
| パッケージ/場合 | 8-PowerTDFN |
| 基礎プロダクト数 | CSD18532 |
CSD18532NQ5Bの特徴
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低熱抵抗
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評価されるなだれ
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無鉛末端のめっき
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迎合的なRoHS
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自由なハロゲン
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息子5 mmの× 6 mmのプラスチック パッケージ
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1超低いQgおよびQgd
CSD18532NQ5Bの適用
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DC-DCの転換
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二次側面の同期整流器
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隔離されたコンバーター第一次側面スイッチ
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運動制御
CSD18532NQ5Bの環境及び輸出分類
| 属性 | 記述 |
| RoHSの状態 | 迎合的なROHS3 |
| 湿気感受性のレベル（MSL） | 1 （無制限） |
| 範囲の状態 | 変化しないに達しなさい |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
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