• 低雑音DBL1010HB-100M-Rの集積回路の破片7-18V 1KHZ
低雑音DBL1010HB-100M-Rの集積回路の破片7-18V 1KHZ

低雑音DBL1010HB-100M-Rの集積回路の破片7-18V 1KHZ

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モデル番号: DBL1010HB-100M-R

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詳細情報

ダイオード構成: 1組の共通の陰極 技術: ショットキー
電圧- DCの逆((最高) Vr): 170ボルト 現在-調整される平均(Io) (ダイオードごとに): 8A
前方電圧- ((最高) Vf) @: 920 mV @ 8 A 速度: 速い回復=< 500ns、> 200mA (Io)
現在-逆の漏出@ Vr: 15 µA @ 170ボルト 実用温度-接続点: 175°C (最高)

製品の説明

低雑音DBL1010HB-100M-Rの集積回路の破片7-18V 1KHZ

 

他に特に規定がなければ、Vcc=10V、f=1KHz、Rg=600、RL=10K。Ta=25°C

 

DBL1010HB-100M-Rの指定

 

(他に特に規定がなければ、Vcc=10V、f=1KHz、Rg=600、RL=10K。Ta=25°C)

 

特徴 記号 テスト回路 テスト条件 鉱山 タイプ 最高 単位
静止流れ ICCO 1   - 5.5 8.5 mA
開ループの電圧利益 GVO 1 Cf =100μF、Rf =0 - 100 - dB
同等の入力 VOM 2

THD 0.5%、

NABの同等化

2 2.8   Vrms
騒音の電圧 VNI 2 Rg =2.2kΩ BPF15HZ-30kHz - 1 2.5 µVrms
入力抵抗 RIN 2 VO =1Vrms - 100 -
チャネル分離 CHSEP 2 f=10kHz、Rg 2.2kΩ
VO =1Vrms
- 70 - dB
さざ波の拒絶 R.R. 2 f=100Hz、VIN =1Vrms
コネクションレスCB
- 50 - dB
音を弱める比率 M.R. 2 Vg =1V、OdB 1 Vrms。   80 - dB

 

DBL1010HB-100M-R特徴

 
*高圧利益:f=1kHzのGvo 100dB (タイプ)
*優秀なチャネル分離および高いさざ波
拒絶:CHSEP.70dB (タイプ)
R.R.=50dB (タイプ。)
*低雑音:VNI = 1.0μVrms (タイプ)
Rg 2.2k.Ω = 15Hz-30kHz
*音を弱める回路の組み込み:2V≧V9≧0.9V
*広い作動の供給電圧の範囲:Vcc = 7-18V。

 

DBL1010HB-100M-R適用

 

*車か家のステレオの使用。
* DBL 1010は8 SIP、Pin9 (機能である:Muteingの)切口。

 

低雑音DBL1010HB-100M-Rの集積回路の破片7-18V 1KHZ 0

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