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詳細情報 |
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| プロダクト状態: | 活動的 | 技術: | MOSFET （金属酸化物） |
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| 構成: | 2 N-Channel （二重） | FETの特徴: | 論理のレベルのゲート |
| 流出させなさいに源の電圧（Vdss）: | 20V | 現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C: | 25A |
| （最高） @ ID、VgsのRds: | 16.4mOhm @ 10A、4.5V | Vgs （（最高） Th） @ ID: | 1V @ 250µA |
| ハイライト: | SI7232DN-T1-GE3,Mosfetの配列20V 25A 23W,20V 25A 23W PPAK |
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製品の説明
SI7232DN-T1-GE3現在の感覚の抵抗器Mosfet 2n CH 20v 25a Ppak 1212-8
二重Mosfetの配列20V 25A 23Wの表面の台紙PowerPAK® 1212-8
SI7232DN-T1-GE3の指定
| タイプ | 記述 |
| 部門 | 分離した半導体製品 |
| トランジスター | |
| FETs、MOSFETs | |
| FET、MOSFETは配列する | |
| Mfr | Vishay Siliconix |
| シリーズ | TrenchFET® |
| パッケージ | テープ及び巻き枠（TR） |
| 切りなさいテープ（CT）を | |
| Digi-Reel® | |
| プロダクト状態 | 活動的 |
| 技術 | MOSFET （金属酸化物） |
| 構成 | 2 N-Channel （二重） |
| FETの特徴 | 論理のレベルのゲート |
| 流出させなさいに源の電圧（Vdss） | 20V |
| 現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C | 25A |
| （最高） @ ID、VgsのRds | 16.4mOhm @ 10A、4.5V |
| Vgs （（最高） Th） @ ID | 1V @ 250µA |
| ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs | 32nC @ 8V |
| 入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds | 1220pF @ 10V |
| パワー最高 | 23W |
| 実用温度 | -55°C | 150°C （TJ） |
| タイプの取付け | 表面の台紙 |
| パッケージ/場合 | 二重PowerPAK® 1212-8 |
| 製造者装置パッケージ | 二重PowerPAK® 1212-8 |
| 基礎プロダクト数 | SI7232 |
SI7232DN-T1-GE3の特徴
PowerPAK 1212-8のパッケージ（図1）はPowerPAK SO-8の派生物である。それはダイス区域を最大にする同じ実装技術を利用する。ダイスの付加のパッドの底は装置が取付けられる基質に直接、低い抵抗熱道を提供するために露出される。PowerPAK 1212-8は熱性能の同じレベルと小さいパッケージにこうしてPowerPAK SO-8の利点を、翻訳する。（アプリケーション ノートの「PowerPAK SO-8の土台および熱考察参照しなさい。」）
SI7232DN-T1-GE3の適用
Vishay Siliconixの表面台紙のパッケージははんだの退潮の信頼性の条件を満たす。装置はあらかじめ調整するテストとして退潮をはんだ付けするために服従し、次に温度周期、バイアス湿気、HAST、または圧力鍋を使用して信頼性テストされる。はんだの退潮のテンペラ
SI7232DN-T1-GE3の環境及び輸出分類
| 属性 | 記述 |
| RoHSの状態 | 迎合的なROHS3 |
| 湿気感受性のレベル（MSL） | 1 （無制限） |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
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