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詳細情報 |
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| FETのタイプ: | N-Channel | テクノロジー: | MOSFET （金属酸化物） |
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| 流出させなさいに源の電圧（Vdss）: | 25ボルト | 現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C: | 700mA （Ta） |
| ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）: | 2.7V、4.5V | （最高） @ ID、VgsのRds: | 350mOhm @ 600mA、4.5V |
| Vgs （（最高） Th） @ ID: | 1.5V @ 250µA | ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs: | 1.5 NC @ 4.5ボルト |
| Vgs （最高）: | ±8V | 入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds: | 60 pF @ 10 V |
| ハイライト: | NTS4409NT1G,NTS4409NT1G NチャネルMOSFET |
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製品の説明
NTS4409NT1G Nチャネル 25 V 700mA (Ta) 280mW (Tj) 表面マウント SC-70-3 (SOT323)
MOSFET N-CH 25V 700MA SC70-3
仕様NTS4409NT1G
| タイプ | 記述 |
| カテゴリー | 離散半導体製品 |
| シングルFET,MOSFET | |
| Mfr | 一半 |
| シリーズ | - |
| パッケージ | テープ&ロール (TR) |
| 製品の状況 | アクティブ |
| FETタイプ | Nチャンネル |
| テクノロジー | MOSFET (金属酸化物) |
| 流出電圧から源電圧 (Vdss) | 25V |
| 電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C | 700mA (Ta) |
| 駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン) | 2.7V,4.5V |
| Rdsオン (最大) @ Id, Vgs | 350mOhm @ 600mA,4.5V |
| Vgs(th) (最大) @ Id | 1.5V @ 250μA |
| ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs | 1.5 nC @ 4.5 V |
| Vgs (最大) | ±8V |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 60 pF @ 10 V |
| FET 特徴 | - |
| 電力消耗 (最大) | 280mW (Tj) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| マウントタイプ | 表面マウント |
| 供給者のデバイスパッケージ | SC-70-3 (SOT323) |
| パッケージ/ケース | SC-70,SOT-323 |
| 基本製品番号 | NTS4409 |
特徴NTS4409NT1G
• 高速スイッチ,低RDS (オン) のための先進的な平面技術
• より 効率 的 で バッテリー の 寿命 を 延長 する
•AEC−Q101資格とPPAP能力 − NVS4409N
• これらのデバイスは,Pb−フリーで,RoHS準拠です
仕様NTS4409NT1G
• ブーストとバック変換機
• 負荷スイッチ
• バッテリー 保護
環境と輸出分類NTS4409NT1G
| ATRIBUTE について | 記述 |
| RoHS 状態 | ROHS3 に準拠 |
| 湿度感度レベル (MSL) | 1 (無制限) |
| REACH ステータス | REACH 影響を受けない |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
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