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詳細情報 |
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| テクノロジー: | MOSFET （金属酸化物） | 流出させなさいに源の電圧（Vdss）: | 30ボルト |
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| 現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C: | 16A (Ta),42A (Tc) | ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）: | 4.5V、10V |
| （最高） @ ID、VgsのRds: | 7.1mOhm @ 16A, 10V | Vgs （（最高） Th） @ ID: | 2.35V @ 25μA |
| ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs: | 4.5Vで14nC | Vgs （最高）: | ±20V |
| ハイライト: | IRFH3702TRPBF,NチャネルMOSFETIC 30V,IRFH3702TRPBF モスフェットIC |
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製品の説明
IRFH3702TRPBF Nチャンネル 30 V 16A 42A 2.8W シングルFET MOSFET 8-PQFN
MOSFET N-CH 30V 16A/42A 8PQFN
仕様LM5116MHX/NOPB
| タイプ | 記述 |
| カテゴリー | 離散半導体製品 |
| シングルFET,MOSFET | |
| Mfr | インフィニオン・テクノロジーズ |
| シリーズ | HEXFET® |
| パッケージ | テープ&ロール (TR) |
| 製品の状況 | 新しい デザイン の ため の もの で は ない |
| FETタイプ | Nチャンネル |
| テクノロジー | MOSFET (金属酸化物) |
| 流出電圧から源電圧 (Vdss) | 30V |
| 電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C | 16A (Ta),42A (Tc) |
| 駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン) | 4.5V,10V |
| Rdsオン (最大) @ Id, Vgs | 7.1mOhm @ 16A, 10V |
| Vgs(th) (最大) @ Id | 2.35V @ 25μA |
| ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs | 14 nC @ 4.5 V |
| Vgs (最大) | ±20V |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 1510 pF @ 15 V |
| FET 特徴 | - |
| 電力消耗 (最大) | 2.8W (Ta) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| マウントタイプ | 表面マウント |
| 供給者のデバイスパッケージ | 8-PQFN (3x3) |
| パッケージ/ケース | 8-パワーVDFN |
| 基本製品番号 | IRFH3702 |
特徴LM5116MHX/NOPB
低RDS (オン)
非常に低いゲートチャージ
PCBとの低結合熱抵抗
完全に特徴づけられた雪崩の電圧と電流
100% RG テスト
鉛なし (260°Cまで再流量)
RoHS対応 (ハロゲンフリー)
適用するLM5116MHX/NOPB
コンピュータプロセッサのパワーのための同期バック変換器
ネットワークおよび通信用専用直流から直流への変換機
セットトップボックス用のバック変換機
環境と輸出分類LM5116MHX/NOPB
| ATRIBUTE について | 記述 |
| RoHS 状態 | ROHS3 に準拠 |
| 湿度感度レベル (MSL) | 1 (無制限) |
| REACH ステータス | REACH 影響を受けない |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
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