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詳細情報 |
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| FETのタイプ: | N-Channel | テクノロジー: | MOSFET （金属酸化物） |
|---|---|---|---|
| 流出させなさいに源の電圧（Vdss）: | 40V | 現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C: | 70A (Tc) |
| ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）: | 10V | （最高） @ ID、VgsのRds: | 5.5mOhm @ 70A, 10V |
| Vgs （（最高） Th） @ ID: | 4V @ 250µA | ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs: | 128 nC @ 10 V |
製品の説明
FDB8444-F085 Nチャネル 40 V 70A (Tc) 167W (Tc) 表面マウント D2PAK (TO-263)
仕様FDB8444-F085
| タイプ | 記述 |
| カテゴリー | 離散半導体製品 |
| トランジスタ | |
| FET,MOSFET | |
| シングルFET,MOSFET | |
| Mfr | 一半 |
| シリーズ | 自動車,AEC-Q101, パワー トレンチ® |
| パッケージ | テープ&ロール (TR) |
| 切断テープ (CT) | |
| 製品の状況 | 時代遅れ |
| FETタイプ | Nチャンネル |
| テクノロジー | MOSFET (金属酸化物) |
| 流出電圧から源電圧 (Vdss) | 40V |
| 電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C | 70A (Tc) |
| 駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン) | 10V |
| Rdsオン (最大) @ Id, Vgs | 5.5mOhm @ 70A, 10V |
| Vgs(th) (最大) @ Id | 4V @ 250μA |
| ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs | 128 nC @ 10 V |
| Vgs (最大) | ±20V |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 8035 pF @ 25 V |
| FET 特徴 | - |
| 電力消耗 (最大) | 167W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C~175°C (TJ) |
| マウントタイプ | 表面マウント |
| 供給者のデバイスパッケージ | D2PAK (TO-263) |
| パッケージ/ケース | TO-263-3,D2Pak (2リード+タブ),TO-263AB |
| 基本製品番号 | FDB844 |
特徴FDB8444-F085
*タイプ rDS (オン) = VGS=10V,ID=70Aで3.9mΩ
"*型Qg(TOT) =VGS=10Vで91nC
低ミラー料金
低Qrボディダイオード
UIS 能力 (単パルスと重複パルス)
*AEC Q101 に準拠する
*RoHS対応
適用するFDB8444-F085
自動車エンジン制御
≪* パワートレイン管理
ソーレノイドとモーター運転手
* 電子送信
"* 分散型電力アーキテクチャとVRM
12V システムのための主要スイッチ
環境と輸出分類FDB8444-F085
| ATRIBUTE について | 記述 |
| 湿度感度レベル (MSL) | 1 (無制限) |
| REACH ステータス | REACH 影響を受けない |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
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