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詳細情報 |
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| FETのタイプ: | ドラム・コア ワイヤーワンド | 材料-中心: | 亜鉄酸塩 |
|---|---|---|---|
| 誘導力: | 6.8 μH | 許容性: | ±20% |
| 現在の評価（Amps）: | 0.083333333 | シールド: | 保護されていない |
| DCの抵抗（DCR）: | 103.6mOhm マックス | 頻度-共鳴自己: | 25MHz |
| ハイライト: | HAT1072H-EL-E,HAT1072H-EL-E PチャネルMOSFET |
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製品の説明
HAT1072H-EL-E Pチャンネル 30V 40A (Ta) 30W (Tc) 表面マウント LFPAK
仕様HAT1072H-EL-E
| タイプ | 記述 |
| カテゴリー | 離散半導体製品 |
| トランジスタ | |
| FET,MOSFET | |
| シングルFET,MOSFET | |
| Mfr | レネサス・エレクトロニクス・アメリカ・インク |
| シリーズ | - |
| パッケージ | テープ&ロール (TR) |
| 製品の状況 | アクティブ |
| FETタイプ | Pチャンネル |
| テクノロジー | MOSFET (金属酸化物) |
| 流出電圧から源電圧 (Vdss) | 30V |
| 電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C | 40A (Ta) |
| 駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン) | 4.5V,10V |
| Rdsオン (最大) @ Id, Vgs | 4.5mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs(th) (最大) @ Id | - |
| ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs | 155 nC @ 10 V |
| Vgs (最大) | +10V, -20V |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 9500 pF @ 10 V |
| FET 特徴 | - |
| 電力消耗 (最大) | 30W (Tc) |
| 動作温度 | 150°C (TJ) |
| マウントタイプ | 表面マウント |
| 供給者のデバイスパッケージ | LFPAK |
| パッケージ/ケース | SC-100,SOT-669 |
| 基本製品番号 | HAT1072 |
特徴HAT1072H-EL-E
・ 4.5Vのゲートドライブを搭載する
• 低電流
• 高密度 装着
低電圧抵抗RDS (オン) = 3.6 mΩ typ (VGS = 10 V)
環境と輸出分類HAT1072H-EL-E
| ATRIBUTE について | 記述 |
| RoHS 状態 | ROHS3 に準拠 |
| 湿度感度レベル (MSL) | 1 (無制限) |
| REACH ステータス | REACH 影響を受けない |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
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