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詳細情報 |
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| テクノロジー: | MOSFET （金属酸化物） | 構成: | 2 P-Channel （二重） |
|---|---|---|---|
| FETの特徴: | 論理のレベルのゲート | 流出電圧から源電圧 (Vdss): | 30V |
| 電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C: | 5.3A | Rdsオン (最大) @ Id, Vgs: | 25mOhm @ 7.1A, 10V |
| Vgs(th) (最大) @ Id: | 3V @ 250µA | ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs: | 50nC @ 10V |
製品の説明
Si4925BDY-T1-E3 統合回路チップ モスフェット配列 30V 5.3A 1.1W 表面マウント
仕様Si4925BDY-T1-E3
| タイプ | 記述 |
| カテゴリー | 離散半導体製品 |
| トランジスタ | |
| FET,MOSFET | |
| FET,MOSFET配列 | |
| Mfr | ビシャイ シリコンニックス |
| シリーズ | トレンチFET® |
| パッケージ | テープ&ロール (TR) |
| 切断テープ (CT) | |
| 製品の状況 | アクティブ |
| テクノロジー | MOSFET (金属酸化物) |
| 構成 | 2Pチャンネル (ダブル) |
| FET 特徴 | ロジックレベルゲート |
| 流出電圧から源電圧 (Vdss) | 30V |
| 電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C | 5.3A |
| Rdsオン (最大) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 7.1A, 10V |
| Vgs(th) (最大) @ Id | 3V @ 250μA |
| ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs | 50nC @ 10V |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | - |
| パワー - マックス | 1.1W |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| マウントタイプ | 表面マウント |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154",3.90mm 幅) |
| 供給者のデバイスパッケージ | 8-SOIC |
| 基本製品番号 | SI4925 |
特徴Si4925BDY-T1-E3
• ハロゲン無 IEC 61249-2-21 定義
• トレンチFET® パワー MOSFET
• RoHS ガイドライン 2002/95/EC に準拠
適用するSi4925BDY-T1-E3
• 負荷 スイッチ
- ノートPC
- デスクトップPC
- ゲームステーション
環境と輸出分類Si4925BDY-T1-E3
| ATRIBUTE について | 記述 |
| RoHS 状態 | ROHS3 に準拠 |
| 湿度感度レベル (MSL) | 1 (無制限) |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
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