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詳細情報 |
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| テクノロジー: | MOSFET （金属酸化物） | 流出電圧から源電圧 (Vdss): | 8ボルト |
|---|---|---|---|
| 電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C: | 12A （Tc） | 駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン): | 1.2V,4.5V |
| Rdsオン (最大) @ Id, Vgs: | 16mOhm @ 8.2A,4.5V | Vgs(th) (最大) @ Id: | 800mV @ 250μA |
| ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs: | 50 nC @ 5 V | Vgs (最大): | ±5V |
製品の説明
SIA427DJ-T1-GE3 統合回路チップ Pチャンネル 8V 12A 3.5W (Ta), 19W PAK® SC-70-6
仕様SIA427DJ-T1-GE3
| タイプ | 記述 |
| カテゴリー | 離散半導体製品 |
| トランジスタ | |
| FET,MOSFET | |
| シングルFET,MOSFET | |
| Mfr | ビシャイ シリコンニックス |
| シリーズ | トレンチFET® |
| パッケージ | テープ&ロール (TR) |
| 切断テープ (CT) | |
| FETタイプ | Pチャンネル |
| テクノロジー | MOSFET (金属酸化物) |
| 流出電圧から源電圧 (Vdss) | 8V |
| 電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| 駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン) | 1.2V,4.5V |
| Rdsオン (最大) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 8.2A,4.5V |
| Vgs(th) (最大) @ Id | 800mV @ 250μA |
| ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs | 50 nC @ 5 V |
| Vgs (最大) | ±5V |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 2300 pF @ 4 V |
| FET 特徴 | - |
| 電力消耗 (最大) | 3.5W (Ta),19W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| マウントタイプ | 表面マウント |
| 供給者のデバイスパッケージ | パワーPAK® SC-70-6 |
| パッケージ/ケース | パワーPAK® SC-70-6 |
| 基本製品番号 | SIA427 |
特徴SIA427DJ-T1-GE3
• トレンチFET® パワー MOSFET
• 新しい 熱強化 パワー パック® SC-70 パッケージ
- 小規模なフットプリント
- 抵抗が低い
• 100% Rg 検査
適用するSIA427DJ-T1-GE3
• 負荷スイッチ,ポータブル・ハンドヘルド機器の1.2V電源線用
環境と輸出分類SIA427DJ-T1-GE3
| ATRIBUTE について | 記述 |
| RoHS 状態 | ROHS3 に準拠 |
| 湿度感度レベル (MSL) | 1 (無制限) |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
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