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詳細情報 |
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| FETタイプ: | P-Channel | テクノロジー: | MOSFET （金属酸化物） |
|---|---|---|---|
| 流出電圧から源電圧 (Vdss): | 20V | 電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C: | 6A （Ta） |
| 駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン): | 1.5V、4.5V | Rdsオン (最大) @ Id, Vgs: | 22.5mOhm @ 6A,4.5V |
| Vgs(th) (最大) @ Id: | 1V @ 1mA | ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs: | 23.1 nC @ 4.5 V |
製品の説明
SSM6J414TU,LF Pチャンネル 20 V 6A (Ta) 1W (Ta) 表面マウント UF6
仕様SSM6J414TU,LF
| タイプ | 記述 |
| カテゴリー | 離散半導体製品 |
| トランジスタ | |
| FET,MOSFET | |
| シングルFET,MOSFET | |
| Mfr | トシバ半導体および貯蔵 |
| シリーズ | U-MOSVI |
| パッケージ | テープ&ロール (TR) |
| 切断テープ (CT) | |
| 製品の状況 | アクティブ |
| FETタイプ | Pチャンネル |
| テクノロジー | MOSFET (金属酸化物) |
| 流出電圧から源電圧 (Vdss) | 20V |
| 電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C | 6A (Ta) |
| 駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン) | 1.5V,4.5V |
| Rdsオン (最大) @ Id, Vgs | 22.5mOhm @ 6A,4.5V |
| Vgs(th) (最大) @ Id | 1V @ 1mA |
| ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs | 23.1 nC @ 4.5 V |
| Vgs (最大) | ±8V |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 1650 pF @ 10 V |
| FET 特徴 | - |
| 電力消耗 (最大) | 1W (Ta) |
| 動作温度 | 150°C (TJ) |
| マウントタイプ | 表面マウント |
| 供給者のデバイスパッケージ | UF6 |
| パッケージ/ケース | 6-SMD,フラットリード |
| 基本製品番号 | SSM6J414 |
特徴SSM6J414TU,LF
(1) 1.5Vのゲートドライブ電圧
(2) 低排水源の電源抵抗:
RDS ((ON) = 54 mΩ (最大) (@VGS = -1.5 V)
RDS ((ON) = 36 mΩ (最大) (@VGS = -1.8 V)
RDS ((ON) = 26 mΩ (最大) (@VGS = -2.5 V)
RDS ((ON) = 22.5 mΩ (最大) (@VGS = -4.5 V)
適用するSSM6J414TU,LF
• 電力 管理 スイッチ
環境と輸出分類SSM6J414TU,LF
| ATRIBUTE について | 記述 |
| RoHS 状態 | ROHS3 に準拠 |
| 湿度感度レベル (MSL) | 1 (無制限) |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
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