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詳細情報 |
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| FETタイプ: | Nチャンネル | テクノロジー: | MOSFET （金属酸化物） |
|---|---|---|---|
| 流出電圧から源電圧 (Vdss): | 60V | 電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C: | 80A （Tc） |
| 駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン): | 10V | Rdsオン (最大) @ Id, Vgs: | 5mOhm @ 40A、10V |
| Vgs(th) (最大) @ Id: | 4V @ 250µA | ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs: | 42 nC @ 10 V |
製品の説明
STD130N6F7 MOSFET Nチャネル 60V 80A (Tc) 134W (Tc) 表面マウント DPAK
仕様STD130N6F7
| タイプ | 記述 |
| カテゴリー | 離散半導体製品 |
| トランジスタ | |
| FET,MOSFET | |
| シングルFET,MOSFET | |
| Mfr | STMマイクロ電子機器 |
| シリーズ | STripFETTM |
| パッケージ | テープ&ロール (TR) |
| 切断テープ (CT) | |
| 製品の状況 | アクティブ |
| FETタイプ | Nチャンネル |
| テクノロジー | MOSFET (金属酸化物) |
| 流出電圧から源電圧 (Vdss) | 60V |
| 電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| 駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン) | 10V |
| Rdsオン (最大) @ Id, Vgs | 5mOhm @ 40A, 10V |
| Vgs(th) (最大) @ Id | 4V @ 250μA |
| ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs | 42 nC @ 10 V |
| Vgs (最大) | ±20V |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 2600 pF @ 30 V |
| FET 特徴 | - |
| 電力消耗 (最大) | 134W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C~175°C (TJ) |
| マウントタイプ | 表面マウント |
| 供給者のデバイスパッケージ | DPAK |
| パッケージ/ケース | TO-252-3,DPak (2リード+タブ),SC-63 |
| 基本製品番号 | STD130 |
特徴STD130N6F7
* 市場で最も低いRDS (RDS) の1つ
*優秀なFOM (功績の数字)
* EMI 免除の低 Crss/Ciss 比率
* 雪崩の強度が高い
適用するSTD130N6F7
* アプリケーションを切り替える
環境と輸出分類STD130N6F7
| ATRIBUTE について | 記述 |
| RoHS 状態 | ROHS3 に準拠 |
| 湿度感度レベル (MSL) | 1 (無制限) |
| REACH ステータス | REACH 影響を受けない |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
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