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詳細情報 |
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| 流出電圧から源電圧 (Vdss): | 500ボルト | 電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C: | 3A (Tc) |
|---|---|---|---|
| 駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン): | 10V | Rdsオン (最大) @ Id, Vgs: | 2.7Ohm @ 1.5A, 10V |
| Vgs(th) (最大) @ Id: | 4.5V @ 50μA | ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs: | 12 NC @ 10ボルト |
| Vgs (最大): | ±30V | 入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds: | 310 pF @ 25 V |
製品の説明
STD130N6F7 MOSFET Nチャネル 60V 80A (Tc) 134W (Tc) 表面マウント DPAK
仕様STD4NK50Z-1
| タイプ | 記述 |
| カテゴリー | 離散半導体製品 |
| トランジスタ | |
| FET,MOSFET | |
| シングルFET,MOSFET | |
| Mfr | STMマイクロ電子機器 |
| シリーズ | スーパーメッシュ |
| パッケージ | トューブ |
| FETタイプ | Nチャンネル |
| テクノロジー | MOSFET (金属酸化物) |
| 流出電圧から源電圧 (Vdss) | 500V |
| 電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C | 3A (Tc) |
| 駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン) | 10V |
| Rdsオン (最大) @ Id, Vgs | 2.7Ohm @ 1.5A, 10V |
| Vgs(th) (最大) @ Id | 4.5V @ 50μA |
| ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Vgs (最大) | ±30V |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 310 pF @ 25 V |
| FET 特徴 | - |
| 電力消耗 (最大) | 45W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| マウントタイプ | 穴を抜ける |
| 供給者のデバイスパッケージ | I-PAK |
| パッケージ/ケース | TO-251-3 ショートリード,IPak,TO-251AA |
| 基本製品番号 | STD4N |
特徴STD4NK50Z-1
• 非常に高い dv/dt 能力
• 100% 雪崩テスト
• ゲート 料金 を 最小限に 抑え た
• 固有電容量が非常に低い
• ゼナー 保護
適用するSTD4NK50Z-1
• アプリケーションを切り替える
環境と輸出分類STD4NK50Z-1
| ATRIBUTE について | 記述 |
| RoHS 状態 | ROHS3 に準拠 |
| 湿度感度レベル (MSL) | 1 (無制限) |
| REACH ステータス | REACH 影響を受けない |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
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