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詳細情報 |
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| 流出電圧から源電圧 (Vdss): | 600V | 電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C: | 10A （Tc） |
|---|---|---|---|
| 駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン): | 10V | Rdsオン (最大) @ Id, Vgs: | 420mOhm @ 5A, 10V |
| Vgs(th) (最大) @ Id: | 5V @ 250µA | ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs: | 16.5 nC @ 10V |
| Vgs (最大): | ±25V | 入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds: | 614 pF @ 100 V |
製品の説明
STP11N60DM2 Nチャネル 600 V 10A (Tc) 110W (Tc) 穴を通ってTO-220
仕様STP11N60DM2
| タイプ | 記述 |
| カテゴリー | 離散半導体製品 |
| トランジスタ | |
| FET,MOSFET | |
| シングルFET,MOSFET | |
| Mfr | STMマイクロ電子機器 |
| シリーズ | MDmeshTM DM2 |
| パッケージ | トューブ |
| FETタイプ | Nチャンネル |
| テクノロジー | MOSFET (金属酸化物) |
| 流出電圧から源電圧 (Vdss) | 600V |
| 電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| 駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン) | 10V |
| Rdsオン (最大) @ Id, Vgs | 420mOhm @ 5A, 10V |
| Vgs(th) (最大) @ Id | 5V @ 250μA |
| ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs | 16.5 nC @ 10V |
| Vgs (最大) | ±25V |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 614 pF @ 100 V |
| FET 特徴 | - |
| 電力消耗 (最大) | 110W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| マウントタイプ | 穴を抜ける |
| 供給者のデバイスパッケージ | TO-220 |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 |
| 基本製品番号 | STP11 |
特徴STP11N60DM2
• 速やかに 回復 する 体 ダイオード
• ゲート電荷と入力容量が非常に低い
• 抵抗 が 低い
• 100% 雪崩テスト
• 非常に高い硬さ
• ゼナー 保護
適用するSTP11N60DM2
• アプリケーションを切り替える
環境と輸出分類STP11N60DM2
| ATRIBUTE について | 記述 |
| RoHS 状態 | ROHS3 に準拠 |
| 湿度感度レベル (MSL) | 1 (無制限) |
| REACH ステータス | REACH 影響を受けない |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
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