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詳細情報 |
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| FETタイプ: | Nチャンネル | テクノロジー: | MOSFET （金属酸化物） |
|---|---|---|---|
| 流出電圧から源電圧 (Vdss): | 25V | 25V: | 220mA （Ta） |
| 駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン): | 2.7V、4.5V | Rdsオン (最大) @ Id, Vgs: | 4Ohm @ 400mA,4.5V |
| Vgs(th) (最大) @ Id: | 1.06V @ 250μA | ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs: | 0.7 NC @ 4.5ボルト |
| Vgs (最大): | ±8V | ||
製品の説明
FDV301N Nチャネル 25 V 220mA (Ta) 350mW (Ta) 表面マウント SOT-23-3
仕様 FDV301N
| タイプ | 記述 |
| カテゴリー | 離散半導体製品 |
| トランジスタ | |
| FET,MOSFET | |
| シングルFET,MOSFET | |
| Mfr | 一半 |
| シリーズ | - |
| パッケージ | テープ&ロール (TR) |
| 切断テープ (CT) | |
| 製品の状況 | アクティブ |
| FETタイプ | Nチャンネル |
| テクノロジー | MOSFET (金属酸化物) |
| 流出電圧から源電圧 (Vdss) | 25V |
| 電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C | 220mA (Ta) |
| 駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン) | 2.7V,4.5V |
| Rdsオン (最大) @ Id, Vgs | 4Ohm @ 400mA,4.5V |
| Vgs(th) (最大) @ Id | 1.06V @ 250μA |
| ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs | 0.7 nC @ 4.5 V |
| Vgs (最大) | ±8V |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 9.5 pF @ 10V |
| FET 特徴 | - |
| 電力消耗 (最大) | 350mW (Ta) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| マウントタイプ | 表面マウント |
| 供給者のデバイスパッケージ | SOT-23-3 |
| パッケージ/ケース | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 基本製品番号 | FDV301 |
特徴FDV301N
• 25V,0.22A連続,0.5Aピーク
* RDS (オン) = 5 @ VGS = 2.7 V
* RDS (オン) = 4 @ VGS = 4.5 V
• 3V回路で直接動作を可能にする非常に低いレベルのゲートドライブ要件. VGS ((th) <1.06 V
ゲート・ソース・ゼナー (ESD 頑丈性) >6kVヒト体モデル
●複数のNPNデジタルトランジスタを1つのDMOS FETに置き換える
• このデバイスは,Pb−フリーおよびハリードフリーです.
適用するFDV301N
このN−チャネル論理レベル強化モードフィールド効果トランジスタは,オンセミの独占,高細胞密度,DMOS技術を使用して製造されています.
環境と輸出分類FDV301N
| ATRIBUTE について | 記述 |
| RoHS 状態 | ROHS3 に準拠 |
| 湿度感度レベル (MSL) | 1 (無制限) |
| REACH ステータス | REACH 影響を受けない |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
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