詳細情報 |
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FETタイプ: | Nチャンネル | テクノロジー: | MOSFET (金属酸化物) |
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流出電圧から源電圧 (Vdss): | 80V | 電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C: | 34A (Tc) |
駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン): | 10V | Rdsオン (最大) @ Id, Vgs: | 8mOhm @ 17A, 10V |
Vgs(th) (最大) @ Id: | 4V@500µA | ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs: | 35 NC @ 10ボルト |
製品の説明
TPH8R008NH,L1Q Nチャネル 80V 34A (Tc) 1.6W (Ta),61W (Tc) 表面マウント 8-SOP
仕様TPH8R008NH,L1Q
タイプ | 記述 |
カテゴリー | 離散半導体製品 |
トランジスタ | |
FET,MOSFET | |
シングルFET,MOSFET | |
Mfr | トシバ半導体および貯蔵 |
シリーズ | U-MOSVIII-H |
パッケージ | テープ&ロール (TR) |
切断テープ (CT) | |
FETタイプ | Nチャンネル |
テクノロジー | MOSFET (金属酸化物) |
流出電圧から源電圧 (Vdss) | 80V |
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C | 34A (Tc) |
駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン) | 10V |
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 17A, 10V |
Vgs(th) (最大) @ Id | 4V @ 500μA |
ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
Vgs (最大) | ±20V |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 3000 pF @ 40 V |
FET 特徴 | - |
電力消耗 (最大) | 1.6W (Ta),61W (Tc) |
動作温度 | 150°C (TJ) |
マウントタイプ | 表面マウント |
供給者のデバイスパッケージ | 8SOP アドバンス (5x5) |
パッケージ/ケース | 8-パワーVDFN |
基本製品番号 | TPH8R008 |
特徴 TPH8R008NH,L1Q
(1) 細い小包み
(2) 高速切換
(3) 小ゲート電荷:QSW = 13 nC (典型)
(4) 低排出源のオン抵抗: RDS ((ON) = 6.6 mΩ (典型) (VGS = 10 V)
(5) 低流出電流:IDSS = 10 μA (最大) (VDS = 80 V)
(6) 強化モード:Vth = 2.0 から 4.0 V (VDS = 10 V,ID = 0.5 mA)
適用する TPH8R008NH,L1Q
• DC-DC 変換機
• 電圧 調節 器 を 切り替える
• 自動車 運転 者
環境と輸出分類TPH8R008NH,L1Q
ATRIBUTE について | 記述 |
RoHS 状態 | RoHS に準拠する |
湿度感度レベル (MSL) | 1 (無制限) |
REACH ステータス | REACH 影響を受けない |
ECCN | EAR99 |
HTSUS | 8541.29.0095 |
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