• TPH8R008NH,L1Q Nチャネル 80V 34A (Tc) 1.6W (Ta),61W (Tc) 表面マウント 8-SOP
TPH8R008NH,L1Q Nチャネル 80V 34A (Tc) 1.6W (Ta),61W (Tc) 表面マウント 8-SOP

TPH8R008NH,L1Q Nチャネル 80V 34A (Tc) 1.6W (Ta),61W (Tc) 表面マウント 8-SOP

商品の詳細:

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モデル番号: TPH8R008NH,L1Q

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詳細情報

FETタイプ: Nチャンネル テクノロジー: MOSFET (金属酸化物)
流出電圧から源電圧 (Vdss): 80V 電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン): 10V Rdsオン (最大) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (最大) @ Id: 4V@500µA ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs: 35 NC @ 10ボルト

製品の説明

TPH8R008NH,L1Q Nチャネル 80V 34A (Tc) 1.6W (Ta),61W (Tc) 表面マウント 8-SOP
 
仕様TPH8R008NH,L1Q

 

タイプ 記述
カテゴリー 離散半導体製品
  トランジスタ
  FET,MOSFET
  シングルFET,MOSFET
Mfr トシバ半導体および貯蔵
シリーズ U-MOSVIII-H
パッケージ テープ&ロール (TR)
  切断テープ (CT)
FETタイプ Nチャンネル
テクノロジー MOSFET (金属酸化物)
流出電圧から源電圧 (Vdss) 80V
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C 34A (Tc)
駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン) 10V
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs 8mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (最大) @ Id 4V @ 500μA
ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs 35 nC @ 10 V
Vgs (最大) ±20V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds 3000 pF @ 40 V
FET 特徴 -
電力消耗 (最大) 1.6W (Ta),61W (Tc)
動作温度 150°C (TJ)
マウントタイプ 表面マウント
供給者のデバイスパッケージ 8SOP アドバンス (5x5)
パッケージ/ケース 8-パワーVDFN
基本製品番号 TPH8R008

 

特徴 TPH8R008NH,L1Q


(1) 細い小包み
(2) 高速切換
(3) 小ゲート電荷:QSW = 13 nC (典型)
(4) 低排出源のオン抵抗: RDS ((ON) = 6.6 mΩ (典型) (VGS = 10 V)
(5) 低流出電流:IDSS = 10 μA (最大) (VDS = 80 V)
(6) 強化モード:Vth = 2.0 から 4.0 V (VDS = 10 V,ID = 0.5 mA)

 

 

適用する TPH8R008NH,L1Q


• DC-DC 変換機
• 電圧 調節 器 を 切り替える
• 自動車 運転 者

 


環境と輸出分類TPH8R008NH,L1Q

 

ATRIBUTE について 記述
RoHS 状態 RoHS に準拠する
湿度感度レベル (MSL) 1 (無制限)
REACH ステータス REACH 影響を受けない
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

 

TPH8R008NH,L1Q Nチャネル 80V 34A (Tc) 1.6W (Ta),61W (Tc) 表面マウント 8-SOP 0 

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