詳細情報 |
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アンプのタイプ: | 電流センス | 回路数: | 1 |
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出力型: | シングルエンド | スルーレート: | 0.4V/µs |
帯域幅増加製品: | 80kHz | 現在-入れられたバイアス: | 28 µA |
電圧-入れられたオフセット: | 5 µV | 電流 - 供給: | 65μA |
製品の説明
TPS28225TDRBRQ1 ハーフブリッジゲートドライバIC 逆転しない 8-SON (3x3)
仕様 TPS28225TDRBRQ1
タイプ | 記述 |
カテゴリー | 集積回路 (IC) |
電力管理 (PMIC) | |
ゲートドライバー | |
Mfr | テキサス・インストラクション |
シリーズ | 自動車,AEC-Q100 |
パッケージ | テープ&ロール (TR) |
切断テープ (CT) | |
駆動式構成 | ハーフブリッジ |
チャンネルタイプ | シンクロン |
運転手数 | 2 |
ゲートタイプ | NチャネルMOSFET |
電圧 - 供給 | 4.5V~8.8V |
論理電圧 - VIL,HIV | 0.8V,2.1V |
電流 - ピーク出力 (源,シンク) | 2A 2A |
入力タイプ | 逆転しない |
高横電圧 - マックス (ブートストラップ) | 33V |
昇降時間 (種類) | 10秒 10秒 |
動作温度 | -40°C ~ 125°C (TJ) |
マウントタイプ | 表面マウント |
パッケージ/ケース | 8-VDFN 露出パッド |
供給者のデバイスパッケージ | 8-SON (3x3) |
基本製品番号 | TPS28225 |
特徴についてTPS28225TDRBRQ1
• 自動車用向けに適格
• 14ns アダプティブデッドタイムで2つのNチャネルMOSFETを駆動
• 広ゲート駆動電圧:4.5Vから8.8Vまで 7Vから8Vで最高の効率
• 広域電源システム列車の入力電圧:3Vから27Vまで
• 幅が2Vから13.2Vまでの幅
• 各相あたり ≥40A の電流で MOSFET を動かすことができる
• 高周波動作: 14 ns 伝播遅延と 10 ns 上昇または減少時間は,FSW を最大 2 MHz に可能とする.
• <30ns の入力 PWM パルス を 伝播 する 能力
• 低サイドドライバーシンクオン抵抗 (0.4 Ω) は,dV/dT に関連する射撃電流を防止します
●電源段階のシャットダウンのための3段階PWM入力
• 空間節約 同じピンで有効 (入力) と有効 (出力) の信号
• 熱停止
• UVLO 保護
• 内装ブートストラップダイオード
• 経済的なSOIC-8と熱強化された3mm × 3mm VSON-8パッケージ
• 高い性能で人気のある3つの状態の入力ドライバを交換する
デクリプションについてTPS28225TDRBRQ1
• アナログまたはデジタル制御を持つ多相直流から直流変換機
• 単一の負荷点のための同期直線
• ワイヤレス 充電 送信機
環境・輸出分類についてTPS28225TDRBRQ1
ATRIBUTE について | 記述 |
RoHS 状態 | ROHS3 に準拠 |
湿度感度レベル (MSL) | 3 (168 時間) |
REACH ステータス | REACH 影響を受けない |
ECCN | EAR99 |
HTSUS | 8542.39.0001 |