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詳細情報 |
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| FETの特徴: | 論理のレベルのゲート | 流出電圧から源電圧 (Vdss): | 30V |
|---|---|---|---|
| 電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C: | 3.3A | Rdsオン (最大) @ Id, Vgs: | 87mOhm @ 3.3A, 10V |
| Vgs(th) (最大) @ Id: | 3V @ 250µA | ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs: | 10nC @ 10V |
| 入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds: | 435pF @ 15V | パワー - マックス: | 700mW |
製品の説明
FDMA3027PZ モスフェット配列 30V 3.3A 700mW 表面マウント 6-マイクロFET (2x2)
仕様 FDMA3027PZ
| タイプ | 記述 |
| カテゴリー | 離散半導体製品 |
| トランジスタ | |
| FET,MOSFET | |
| FET,MOSFET配列 | |
| Mfr | 一半 |
| シリーズ | パワー トレンチ® |
| パッケージ | テープ&ロール (TR) |
| 切断テープ (CT) | |
| テクノロジー | MOSFET (金属酸化物) |
| 構成 | 2Pチャンネル (ダブル) |
| FET 特徴 | ロジックレベルゲート |
| 流出電圧から源電圧 (Vdss) | 30V |
| 電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C | 3.3A |
| Rdsオン (最大) @ Id, Vgs | 87mOhm @ 3.3A, 10V |
| Vgs(th) (最大) @ Id | 3V @ 250μA |
| ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs | 10nC @ 10V |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 435pF @ 15V |
| パワー - マックス | 700mW |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| マウントタイプ | 表面マウント |
| パッケージ/ケース | 6-VDFN 露出パッド |
| 供給者のデバイスパッケージ | 6-マイクロFET (2x2) |
| 基本製品番号 | FDMA3027 |
特徴 FDMA3027PZ
• 最大RDS (オン) = 87m VGS = −10 V,ID = −3.3 A
•最大RDS (オン) = 152m VGS=−4.5V,ID=−2.3A
• HBM ESD 保護レベル > 2 kV 典型的な (3 備注)
• 低プロフィール − 0.8mm 最大 − 新しいパッケージ MicroFET 2x2mm
• これらのデバイスは,Pb−フリーで,RoHS準拠です
適用する FDMA3027PZ
• 負荷スイッチ
• 機密 な ゲート ドライバー
環境問題輸出分類 FDMA3027PZ
| ATRIBUTE について | 記述 |
| RoHS 状態 | ROHS3 に準拠 |
| 湿度感度レベル (MSL) | 1 (無制限) |
| REACH ステータス | REACH 影響を受けない |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
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