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詳細情報 |
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| 流出電圧から源電圧 (Vdss): | 900ボルト | 電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C: | 6.9A (Tc) |
|---|---|---|---|
| Rdsオン (最大) @ Id, Vgs: | 800mOhm @ 4.1A, 10V | Vgs(th) (最大) @ Id: | 3.5V @ 460μA |
| ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs: | 42 nC @ 10 V | Vgs (最大): | ±20V |
| 入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds: | 1100 pF @ 100 V | 電力損失（最高）: | 33W （Tc） |
製品の説明
IPA90R800C3 Nチャネル 900 V 6.9A (Tc) 33W (Tc) 穴を通る PG-TO220 フルパック
仕様 IPA90R800C3
| タイプ | 記述 |
| カテゴリー | 離散半導体製品 |
| トランジスタ | |
| FET,MOSFET | |
| シングルFET,MOSFET | |
| Mfr | インフィニオン・テクノロジーズ |
| シリーズ | クールMOSTM |
| パッケージ | 散装品 |
| FETタイプ | Nチャンネル |
| テクノロジー | MOSFET (金属酸化物) |
| 流出電圧から源電圧 (Vdss) | 900V |
| 電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C | 6.9A (Tc) |
| Rdsオン (最大) @ Id, Vgs | 800mOhm @ 4.1A, 10V |
| Vgs(th) (最大) @ Id | 3.5V @ 460μA |
| ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs | 42 nC @ 10 V |
| Vgs (最大) | ±20V |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 1100 pF @ 100 V |
| FET 特徴 | - |
| 電力消耗 (最大) | 33W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| マウントタイプ | 穴を抜ける |
| 供給者のデバイスパッケージ | PG-TO220 全パッケージ |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 全パック |
仕様 IPA90R800C3
• 最低値R ON x Qg
• 極度の dv/dt と評価されています
●高峰電流能力
• JEDEC (1) に基づいて対象アプリケーションに適格
• Pb のない鉛塗装; RoHS に準拠
• 超低値のゲート充電
適用する IPA90R800C3
• 準共鳴フライバック/フォワードトポロジー
• PC シルバーボックスと消費者向けアプリケーション
• 産業用小規模事業者
環境問題輸出分類 IPA90R800C3
| RoHS 状態 | ROHS3 に準拠 |
| 湿度感度レベル (MSL) | 1 (無制限) |
| REACH ステータス | REACH 影響を受けない |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
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