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詳細情報 |
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| 流出電圧から源電圧 (Vdss): | 40V | 電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C: | 58A （Tc） |
|---|---|---|---|
| 駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン): | 4.5V,10V | Rdsオン (最大) @ Id, Vgs: | 6.3mOhm @ 14A、10V |
| Vgs(th) (最大) @ Id: | 2.5V @ 250µA | ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs: | 55 NC @ 10ボルト |
| Vgs (最大): | ±20V | 入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds: | 2450 pF @ 20 V |
| ハイライト: | SQJ858AEP-T1_GE3 スマッド,40 V スミドイク |
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製品の説明
SQJ858AEP-T1_GE3 Nチャンネル 40 V 58A (Tc) 48W (Tc) 表面マウント PowerPAK® SO-8
仕様SQJ858AEP-T1_GE3
| タイプ | 記述 |
| カテゴリー | 離散半導体製品 |
| トランジスタ | |
| FET,MOSFET | |
| シングルFET,MOSFET | |
| Mfr | ビシャイ シリコンニックス |
| シリーズ | 自動車,AEC-Q101,TrenchFET® |
| パッケージ | テープ&ロール (TR) |
| 切断テープ (CT) | |
| FETタイプ | Nチャンネル |
| テクノロジー | MOSFET (金属酸化物) |
| 流出電圧から源電圧 (Vdss) | 40V |
| 電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C | 58A (Tc) |
| 駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン) | 4.5V,10V |
| Rdsオン (最大) @ Id, Vgs | 6.3mOhm @ 14A, 10V |
| Vgs(th) (最大) @ Id | 2.5V @ 250μA |
| ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs | 55 nC @ 10 V |
| Vgs (最大) | ±20V |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 2450 pF @ 20 V |
| FET 特徴 | - |
| 電力消耗 (最大) | 48W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C~175°C (TJ) |
| マウントタイプ | 表面マウント |
| 供給者のデバイスパッケージ | パワーPAK® SO-8 |
| パッケージ/ケース | パワーPAK® SO-8 |
| 基本製品番号 | SQJ858 |
特徴 SQJ858AEP-T1_GE3
• トレンチFET® パワー MOSFET
• AEC-Q101 資格
• 100% Rg と UIS テスト
環境問題輸出分類 SQJ858AEP-T1_GE3
| ATRIBUTE について | 記述 |
| RoHS 状態 | ROHS3 に準拠 |
| 湿度感度レベル (MSL) | 1 (無制限) |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
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