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詳細情報 |
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| テクノロジー: | MOSFET （金属酸化物） | 構成: | 2 N-Channel （二重） |
|---|---|---|---|
| FETの特徴: | 論理のレベルのゲート | 流出電圧から源電圧 (Vdss): | 30V |
| 電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C: | 6A,8.5A | Rdsオン (最大) @ Id, Vgs: | 20mOhm @ 6A, 10V |
| Vgs(th) (最大) @ Id: | 3V @ 250µA | ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs: | 10nC @ 10V |
製品の説明
FDMC8200s モスフェット アレイ 30V 6A,8.5A 700mW,1W 表面マウント 8-パワー33 (3x3)
仕様 FDMC8200s
| タイプ | 記述 |
| カテゴリー | 離散半導体製品 |
| トランジスタ | |
| FET,MOSFET | |
| FET,MOSFET配列 | |
| Mfr | 一半 |
| シリーズ | パワー トレンチ® |
| パッケージ | テープ&ロール (TR) |
| 切断テープ (CT) | |
| 製品の状況 | アクティブ |
| テクノロジー | MOSFET (金属酸化物) |
| 構成 | 2 Nチャンネル (ダブル) |
| FET 特徴 | ロジックレベルゲート |
| 流出電圧から源電圧 (Vdss) | 30V |
| 電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C | 6A,8.5A |
| Rdsオン (最大) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 6A, 10V |
| Vgs(th) (最大) @ Id | 3V @ 250μA |
| ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs | 10nC @ 10V |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 660pF @ 15V |
| パワー - マックス | 700mW,1W |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| マウントタイプ | 表面マウント |
| パッケージ/ケース | 8-PowerWDFN |
| 供給者のデバイスパッケージ | 8 パワー33 (3x3) |
| 基本製品番号 | FDMC82 |
特徴 FDMC8200s
Q1: N−チャネル
*最大 rDS (オン) = 20 m VGS = 10 V,ID = 6 A
* 最大 rDS (オン) = 32 m VGS = 4.5 V,ID = 5 A
• Q2: N−チャネル
*最大 rDS (オン) = 10 m VGS = 10 V,ID = 8.5 A
*最大rDS (オン) = VGS=4.5Vで13.5m,ID=7.2A
• この装置はPb−フリー,ハリドールフリーで,RoHS準拠です
適用する FDMC8200s
• モバイル コンピューティング
• モバイル インターネット デバイス
• 一般目的 荷重点
環境問題輸出分類 FDMC8200s
| ATRIBUTE について | 記述 |
| RoHS 状態 | ROHS3 に準拠 |
| 湿度感度レベル (MSL) | 1 (無制限) |
| REACH ステータス | REACH 影響を受けない |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
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