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詳細情報 |
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| FETタイプ: | Nチャンネル | 流出電圧から源電圧 (Vdss): | 20V |
|---|---|---|---|
| 電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C: | 1.7A （Ta） | 駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン): | 2.5V、4.5V |
| Rdsオン (最大) @ Id, Vgs: | 70mOhm @ 1.7A、4.5V | Vgs(th) (最大) @ Id: | 1.5V @ 250µA |
| ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs: | 5 nC @ 4.5 V | Vgs (最大): | ±8V |
| 入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds: | 310 pF @ 10 V | 電力損失（最高）: | 500mW （Ta） |
製品の説明
FDN335N Nチャネル 20 V 1.7A (Ta) 500mW (Ta) 表面マウント SOT-23-3
仕様 FDN335N
| タイプ | 記述 |
| カテゴリー | 離散半導体製品 |
| トランジスタ | |
| FET,MOSFET | |
| シングルFET,MOSFET | |
| Mfr | 一半 |
| シリーズ | パワー トレンチ® |
| パッケージ | テープ&ロール (TR) |
| 切断テープ (CT) | |
| FETタイプ | Nチャンネル |
| テクノロジー | MOSFET (金属酸化物) |
| 流出電圧から源電圧 (Vdss) | 20V |
| 電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C | 1.7A (Ta) |
| 駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン) | 2.5V,4.5V |
| Rdsオン (最大) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 1.7A,4.5V |
| Vgs(th) (最大) @ Id | 1.5V @ 250μA |
| ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs | 5 nC @ 4.5 V |
| Vgs (最大) | ±8V |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 310 pF @ 10 V |
| FET 特徴 | - |
| 電力消耗 (最大) | 500mW (Ta) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| マウントタイプ | 表面マウント |
| 供給者のデバイスパッケージ | SOT-23-3 |
| パッケージ/ケース | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 基本製品番号 | FDN335 |
特徴 FDN335N
R DS ((ON) = 0.07 Ω @ V GS = 4.5 V RDS ((ON) = 0.100 Ω @ V GS = 2.5 V
低ゲート充電 (典型的には3.5nC)
• 非常に低RDS (ON) の高性能の溝技術
• 高出力と電流処理能力
適用する FDN335N
• DC/DC変換器
• 負荷スイッチ
環境問題輸出分類 FDN335N
| ATRIBUTE について | 記述 |
| RoHS 状態 | ROHS3 に準拠 |
| 湿度感度レベル (MSL) | 1 (無制限) |
| REACH ステータス | REACH 影響を受けない |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
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