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詳細情報 |
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| 運転された構成: | 半橋 | チャンネルタイプ: | 3-Phase |
|---|---|---|---|
| 運転者の数: | 6 | ゲートのタイプ: | IGBT、N-channel MOSFET |
| 電圧 - 供給: | 10V | 20V | 論理の電圧- VIL、VIH: | 0.8V、2.5V |
| 現在-ピーク出力（源、流し）: | 200mA、350mA | 入力タイプ: | 逆になること |
| 最高高い側面の電圧- （ブートストラップ）: | 600V | 昇降時間 (種類): | 125ns、50ns |
製品の説明
IRS2336DSTRPBF ハーフブリッジゲートドライバーIC 逆転 28-SOIC
仕様IRS2336DSTRPBF について
| タイプ | 記述 |
| カテゴリー | 集積回路 (IC) |
| 電力管理 (PMIC) | |
| ゲートドライバー | |
| Mfr | インフィニオン・テクノロジーズ |
| シリーズ | - |
| パッケージ | テープ&ロール (TR) |
| 切断テープ (CT) | |
| 製品の状況 | アクティブ |
| Digi-Key プログラム可能 | 確認されていない |
| 駆動式構成 | ハーフブリッジ |
| チャンネルタイプ | 3 段階 |
| 運転手数 | 6 |
| ゲートタイプ | IGBT,NチャンネルMOSFET |
| 電圧 - 供給 | 10V~20V |
| 論理電圧 - VIL,HIV | 0.8V,2.5V |
| 電流 - ピーク出力 (源,シンク) | 200mA,350mA |
| 入力タイプ | 逆転する |
| 高横電圧 - マックス (ブートストラップ) | 600V |
| 昇降時間 (種類) | 125nm,50nm |
| 動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| マウントタイプ | 表面マウント |
| パッケージ/ケース | 28SOIC (0.295", 7.50mm 幅) |
| 供給者のデバイスパッケージ | 28SOIC |
| 基本製品番号 | IRS2336 |
特徴 IRS2336DSTRPBF について
* IGBT/MOSFET電源装置を6台まで駆動する
* ゲートドライブ供給は,チャネルあたり最大20V
* 統合されたブートストラップ機能 (IRS2336(4) D)
* 超電流保護
* 過熱停止入力
* 先進的な入力フィルター
* インテグレテッド・ダウンタイム・プロテクション
* 射出防止 (交差伝導)
* VCCとVBSの低電圧ロックアウト
*入力とエラー報告を有効/無効にする
* 調整可能な故障から解放するタイミング
* 論理と力の理由を分離する
* 3.3 V 論理入力対応
* 負の電圧に耐える
* ブートストラップ電源で使用するように設計されています
* すべてのチャネルでマッチングされた伝播遅延
* -40°Cから125°Cまでの動作範囲
* RoHS に準拠する
* 鉛のない
適用する IRS2336DSTRPBF について
* 装置のモータードライブ
* サーボドライブ
* マイクロインバータードライブ
* 一般用途の3相インバーター
環境問題輸出分類 IRS2336DSTRPBF について
| ATRIBUTE について | 記述 |
| RoHS 状態 | ROHS3 に準拠 |
| 湿度感度レベル (MSL) | 3 (168 時間) |
| REACH ステータス | REACH 影響を受けない |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8542.39.0001 |
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