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詳細情報 |
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| FETタイプ: | Nチャンネル | テクノロジー: | MOSFET （金属酸化物） |
|---|---|---|---|
| 流出電圧から源電圧 (Vdss): | 25V | 電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C: | 100A (Ta) |
| 駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン): | 4.5V,10V | Rdsオン (最大) @ Id, Vgs: | 0.59mOhm @ 50A, 10V |
| Vgs(th) (最大) @ Id: | 1.9V @ 250μA | 1.9V @ 250μA: | 250 NC @ 10ボルト |
製品の説明
CSD16570Q5B Nチャンネル 25 V 100A 3.2W 195W (Tc) 表面マウント 8-VSON-CLIP (5x6)
仕様 CSD16570Q5B
| タイプ | 記述 |
| カテゴリー | 離散半導体製品 |
| トランジスタ | |
| FET,MOSFET | |
| シングルFET,MOSFET | |
| Mfr | テキサス・インストラクション |
| シリーズ | NexFETTM |
| パッケージ | テープ&ロール (TR) |
| 切断テープ (CT) | |
| FETタイプ | Nチャンネル |
| テクノロジー | MOSFET (金属酸化物) |
| 流出電圧から源電圧 (Vdss) | 25V |
| 電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C | 100A (Ta) |
| 駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン) | 4.5V,10V |
| Rdsオン (最大) @ Id, Vgs | 0.59mOhm @ 50A, 10V |
| Vgs(th) (最大) @ Id | 1.9V @ 250μA |
| ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs | 250 nC @ 10 V |
| Vgs (最大) | ±20V |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 14000 pF @ 12 V |
| FET 特徴 | - |
| 電力消耗 (最大) | 3.2W (Ta),195W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| マウントタイプ | 表面マウント |
| 供給者のデバイスパッケージ | 8-VSON-CLIP (5x6) |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN |
| 基本製品番号 | CSD16570 |
特徴 CSD16570Q5B
• 抵抗 力 が 極めて 低い
• Qg と Qgd の 低さ
• 低熱抵抗性
• 雪崩 評価
• Pb フリー・ターミナル・プレート
• RoHS に 準拠 する
• ハロゲン 無料
SON 5mm × 6mm プラスチックパッケージ
適用する CSD16570Q5B
• ORing と ホット スワップ アプリケーション
環境問題輸出分類 CSD16570Q5B
| ATRIBUTE について | 記述 |
| RoHS 状態 | ROHS3 に準拠 |
| 湿度感度レベル (MSL) | 1 (無制限) |
| REACH ステータス | REACH 影響を受けない |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
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