|
詳細情報 |
|||
| 構成: | 2 N-Channel （二重） | 流出電圧から源電圧 (Vdss): | 40V |
|---|---|---|---|
| 電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C: | 60A | Rdsオン (最大) @ Id, Vgs: | 5.8mOhm @ 18.5A, 10V |
| Vgs(th) (最大) @ Id: | 2.5V @ 250µA | ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs: | 65nC @ 10V |
| 入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds: | 2300pF @ 20V | パワー - マックス: | 46W |
製品の説明
SI7938DP-T1-GE3 モスフェット配列 40V 60A 46W 表面マウント PowerPAK® SO-8 デュアル
仕様 SI7938DP-T1-GE3
| タイプ | 記述 |
| カテゴリー | 離散半導体製品 |
| トランジスタ | |
| FET,MOSFET | |
| FET,MOSFET配列 | |
| Mfr | ビシャイ シリコンニックス |
| シリーズ | トレンチFET® |
| パッケージ | テープ&ロール (TR) |
| 切断テープ (CT) | |
| テクノロジー | MOSFET (金属酸化物) |
| 構成 | 2 Nチャンネル (ダブル) |
| FET 特徴 | - |
| 流出電圧から源電圧 (Vdss) | 40V |
| 電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C | 60A |
| Rdsオン (最大) @ Id, Vgs | 5.8mOhm @ 18.5A, 10V |
| Vgs(th) (最大) @ Id | 2.5V @ 250μA |
| ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs | 65nC @ 10V |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 2300pF @ 20V |
| パワー - マックス | 46W |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| マウントタイプ | 表面マウント |
| パッケージ/ケース | パワーパック®SO-8 ダブル |
| 供給者のデバイスパッケージ | パワーパック®SO-8 ダブル |
| 基本製品番号 | SI7938 |
特徴 SI7938DP-T1-GE3
• トレンチFET® パワー MOSFET
• 100% Rg と UIS テスト
適用する SI7938DP-T1-GE3
• POL
• DC/DC
環境問題輸出分類 SI7938DP-T1-GE3
| ATRIBUTE について | 記述 |
| RoHS 状態 | ROHS3 に準拠 |
| 湿度感度レベル (MSL) | 1 (無制限) |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
この製品の詳細を知りたい