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詳細情報 |
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| FETタイプ: | Nチャンネル | テクノロジー: | MOSFET （金属酸化物） |
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| 流出電圧から源電圧 (Vdss): | 250ボルト | 電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C: | 64A （Tc） |
| 駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン): | 10V | Rdsオン (最大) @ Id, Vgs: | 20mOhm @ 64A, 10V |
| Vgs(th) (最大) @ Id: | 4V @ 270μA | ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs: | 89 nC @ 10 V |
| ハイライト: | IPB64N25S3-20,IPB64N25S3-20 MOSFET IC,NチャネルMOSFETIC |
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製品の説明
IPB64N25S3-20 Nチャネル 250 V 64A (Tc) 300W (Tc) 表面マウント PG-TO263-3-2
仕様 IPB64N25S3-20
| タイプ | 記述 |
| カテゴリー | 離散半導体製品 |
| トランジスタ | |
| FET,MOSFET | |
| シングルFET,MOSFET | |
| Mfr | インフィニオン・テクノロジーズ |
| シリーズ | オプティモスTM |
| パッケージ | テープ&ロール (TR) |
| 切断テープ (CT) | |
| FETタイプ | Nチャンネル |
| テクノロジー | MOSFET (金属酸化物) |
| 流出電圧から源電圧 (Vdss) | 250V |
| 電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C | 64A (Tc) |
| 駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン) | 10V |
| Rdsオン (最大) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 64A, 10V |
| Vgs(th) (最大) @ Id | 4V @ 270μA |
| ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs | 89 nC @ 10 V |
| Vgs (最大) | ±20V |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 7000 pF @ 25V |
| FET 特徴 | - |
| 電力消耗 (最大) | 300W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C~175°C (TJ) |
| マウントタイプ | 表面マウント |
| 供給者のデバイスパッケージ | PG-TO263-3-2 |
| パッケージ/ケース | TO-263-3,D2Pak (2リード+タブ),TO-263AB |
| 基本製品番号 | IPB64N25 |
特徴 IPB64N25S3-20
• Nチャンネル - 強化モード
• AEC資格
• MSL1 最大 260°C のリフロー
• 175°C の動作温度
適用する IPB64N25S3-20
•グリーン製品 (RoHS対応)
• 100% アヴァランシュテスト
環境と輸出分類IPB64N25S3-20
| ATRIBUTE について | 記述 |
| RoHS 状態 | ROHS3 に準拠 |
| 湿度感度レベル (MSL) | 1 (無制限) |
| REACH ステータス | REACH 影響を受けない |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
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