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詳細情報 |
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| 構成: | 2 N-Channel （二重） | FETの特徴: | 論理レベルゲート,0.9Vドライブ |
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| 流出電圧から源電圧 (Vdss): | 50V | 電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C: | 200mA |
| Rdsオン (最大) @ Id, Vgs: | 2.2Ohm @ 200mA,4.5V | Vgs(th) (最大) @ Id: | 800mV @ 1mA |
| 入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds: | 26pF @ 10V | パワー - マックス: | 120mw |
製品の説明
EM6K34T2CR モスフェット配列統合回路チップ 50V 200mA 120mW 表面マウント EMT6
仕様 EM6K34T2CR
| タイプ | 記述 |
| カテゴリー | 離散半導体製品 |
| トランジスタ | |
| FET,MOSFET | |
| FET,MOSFET配列 | |
| Mfr | ローム半導体 |
| シリーズ | - |
| パッケージ | テープ&ロール (TR) |
| 切断テープ (CT) | |
| テクノロジー | MOSFET (金属酸化物) |
| 構成 | 2 Nチャンネル (ダブル) |
| FET 特徴 | 論理レベルゲート,0.9Vドライブ |
| 流出電圧から源電圧 (Vdss) | 50V |
| 電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C | 200mA |
| Rdsオン (最大) @ Id, Vgs | 2.2Ohm @ 200mA,4.5V |
| Vgs(th) (最大) @ Id | 800mV @ 1mA |
| ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs | - |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 26pF @ 10V |
| パワー - マックス | 120mW |
| 動作温度 | 150°C (TJ) |
| マウントタイプ | 表面マウント |
| パッケージ/ケース | SOT-563,SOT-666 |
| 供給者のデバイスパッケージ | EMT6 |
| 基本製品番号 | EM6K34 |
特徴 EM6K34T2CR
1) 高速で汗をかき
2) 小さいパッケージ (EMT6)
3)超低電圧駆動 (0.9V駆動)
適用する EM6K34T2CR
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環境と輸出分類EM6K34T2CR
| ATRIBUTE について | 記述 |
| RoHS 状態 | ROHS3 に準拠 |
| 湿度感度レベル (MSL) | 1 (無制限) |
| REACH ステータス | REACH 影響を受けない |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
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