• 300mVトランシーバーIC EMMCのメモリー チップ8VDFN TJA1057GTK 3Z
300mVトランシーバーIC EMMCのメモリー チップ8VDFN TJA1057GTK 3Z

300mVトランシーバーIC EMMCのメモリー チップ8VDFN TJA1057GTK 3Z

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ブランド名: original
証明: original
モデル番号: TJA1057GTK/3Z

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詳細情報

受信機ヒステリシス: 300 mV 二重: 半分
電圧-供給: 4.75V | 5.25V 実用温度: -40°C | 150°C
タイプの取付け: 表面の台紙 パッケージ/場合: 8-VDFNはパッドを露出した
製造者装置パッケージ: 8-HVSON (3x3) 基礎プロダクト数: TJA1057
ハイライト:

TJA1057GTK 3Z

,

300mVトランシーバーIC

,

8VDFNトランシーバーIC

製品の説明

TJA1057GTK/3Z Emmcのメモリー チップICのトランシーバーの半分1/1 8hvson
 
1/1のトランシーバー半分のCANbus 8-HVSON (3x3)

 

TJA1057GTK/3Zの指定

 

タイプ 記述
部門 集積回路(IC)
インターフェイス
運転者、受信機、トランシーバー
Mfr NXP USA Inc。
シリーズ -
パッケージ テープ及び巻き枠(TR)
切りなさいテープ(CT)を
Digi-Reel®
プロダクト状態 活動的
タイプ トランシーバー
議定書 CANbus
運転者/受信機の数 1つの月1の日
二重 半分
受信機ヒステリシス 300 mV
データ転送速度 -
電圧-供給 4.75V | 5.25V
実用温度 -40°C | 150°C
タイプの取付け 表面の台紙
パッケージ/場合 8-VDFNはパッドを露出した
製造者装置パッケージ 8-HVSON (3x3)
基礎プロダクト数 TJA1057

 

TJA1057GTK/3Z特徴

•迎合的な十分にISOの11898-2:2016、SAE J2284-1へのSAE J2284-5およびSAE J1939-14
•12のV自動車システムの使用のために最大限に活用される
•バス ピンの機能を扱う高いESD (8つのkV IECおよびHBM)
•自動車環境のトランジェントから保護されるバス ピン
•AEC-Q100は修飾した
•深緑色プロダクト(ハロゲン迎合的な危険な物質(RoHS))の自由におよび制限
•TJA1057BおよびTJA1057Cの変形のより短い伝搬遅延は大規模なネットワークの地勢学を支える(表8)を見なさい
 

TJA1057GTK/3Z適用

•すべての供給の状態の下で予想できる機能的挙動

•供給電圧が不足電圧の境界の下で落ちる時バスからのトランシーバーの解放(高抵抗)

•データ(TXD)支配的なタイムアウト機能を送信しなさい

•TXDおよびSの入力ピンの内部に偏ること

 

TJA1057GTK/3Zの環境及び輸出分類

 

属性 記述
RoHSの状態 迎合的なROHS3
湿気感受性のレベル(MSL) 1 (無制限)
範囲の状態 変化しないに達しなさい
ECCN EAR99
HTSUS 8542.39.0001
 

300mVトランシーバーIC EMMCのメモリー チップ8VDFN TJA1057GTK 3Z 0

 

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