• TLV9152QDGKRQ1 EMMCのメモリー チップOPAMP GP 2回路8VSSOP
TLV9152QDGKRQ1 EMMCのメモリー チップOPAMP GP 2回路8VSSOP

TLV9152QDGKRQ1 EMMCのメモリー チップOPAMP GP 2回路8VSSOP

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モデル番号: TLV9152QDGKRQ1

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詳細情報

プロダクト状態: 活動的 アンプのタイプ: 一般目的
回路の数: 2 出力タイプ: 柵に柵
スルー・レート: 20V/µs 利益帯域幅プロダクト: 4.5 MHz
現在-入れられたバイアス: 10 Pa 電圧-入れられたオフセット: 125 µV
ハイライト:

TLV9152QDGKRQ1

,

OPAMP GP 2回路8VSSOP

,

8VSSOP EMMCのメモリー チップ

製品の説明

TLV9152QDGKRQ1 Emmc メモリ チップ Ic オペアンプ GP 2 回路 8vssop
 
汎用アンプ 2 回路レールツーレール 8-VSSOP

 

仕様TLV9152QDGKRQ1

 

タイプ 説明
カテゴリー 集積回路 (IC)
線形
アンプ
計測機器、OPアンプ、バッファアンプ
製造元 テキサス・インスツルメンツ
シリーズ 自動車、AEC-Q100
パッケージ テープ&リール(TR)
カットテープ(CT)
デジリール®
製品の状態 アクティブ
アンプの種類 一般的用途
回路数 2
出力タイプ レールからレールへ
スルーレート 20V/μs
ゲイン帯域幅積 4.5MHz
電流 - 入力バイアス 10pA
電圧 - 入力オフセット 125μV
電流 - 供給 560μA (x2チャンネル)
電流 - 出力/チャンネル 75mA
電圧 - 供給スパン (最小) 2.7V
電圧 - 供給スパン (最大) 16V
動作温度 -40℃~125℃(TA)
取付タイプ 表面実装
パッケージ・ケース 8-TSSOP、8-MSOP (0.118インチ、3.00mm幅)
サプライヤーデバイスパッケージ 8-VSSOP

 

の特徴TLV9152QDGKRQ1

 

• 車載アプリケーション向けに AEC-Q100 認定済み
– 温度グレード 1: –40°C ~ +125°C、TA
– デバイス HBM ESD 分類レベル 3A
– デバイス CDM ESD 分類レベル C6
• 低いオフセット電圧: ±125 μV
• 低いオフセット電圧ドリフト: ±0.3 µV/°C
• 低ノイズ: 1 kHz で 10.8 nV/√Hz
• 高いコモンモード除去: 120 dB
• 低バイアス電流: ±10 pA
• レールツーレール入出力
• 広い帯域幅: 4.5 MHz GBW
• 高スルーレート: 21 V/μs
• 低い自己消費電流: アンプあたり 560 µA
• 幅広い電源: ±1.35 V ~ ±8 V、2.7 V ~ 16 V
• 堅牢な EMIRR 性能: 入力ピン上の EMI/RFI フィルター
 

アプリケーション TLV9152QDGKRQ1

 

• AEC-Q100 グレード 1 アプリケーション向けに最適化
• インフォテイメントとクラスター
• 受動的安全性
• ボディエレクトロニクスと照明
• HEV/EV インバーターおよびモーター制御
• オンボード (OBC) およびワイヤレス充電器
• パワートレイン電流センサー
• 先進運転支援システム (ADAS)
• ハイサイドおよびローサイドの電流検出

 

環境および輸出の分類TLV9152QDGKRQ1

 

属性 説明
RoHS ステータス 適用できない
感湿性レベル (MSL) 1 (無制限)
ECCN EAR99
HTSUS 8542.33.0001

TLV9152QDGKRQ1 EMMCのメモリー チップOPAMP GP 2回路8VSSOP 0

 

 

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