詳細情報 |
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プロダクト状態: | 活動的 | アンプのタイプ: | 一般目的 |
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回路の数: | 2 | 出力タイプ: | 柵に柵 |
スルー・レート: | 20V/µs | 利益帯域幅プロダクト: | 4.5 MHz |
現在-入れられたバイアス: | 10 Pa | 電圧-入れられたオフセット: | 125 µV |
ハイライト: | TLV9152QDGKRQ1,OPAMP GP 2回路8VSSOP,8VSSOP EMMCのメモリー チップ |
製品の説明
TLV9152QDGKRQ1 Emmc メモリ チップ Ic オペアンプ GP 2 回路 8vssop
汎用アンプ 2 回路レールツーレール 8-VSSOP
仕様TLV9152QDGKRQ1
タイプ | 説明 |
カテゴリー | 集積回路 (IC) |
線形 | |
アンプ | |
計測機器、OPアンプ、バッファアンプ | |
製造元 | テキサス・インスツルメンツ |
シリーズ | 自動車、AEC-Q100 |
パッケージ | テープ&リール(TR) |
カットテープ(CT) | |
デジリール® | |
製品の状態 | アクティブ |
アンプの種類 | 一般的用途 |
回路数 | 2 |
出力タイプ | レールからレールへ |
スルーレート | 20V/μs |
ゲイン帯域幅積 | 4.5MHz |
電流 - 入力バイアス | 10pA |
電圧 - 入力オフセット | 125μV |
電流 - 供給 | 560μA (x2チャンネル) |
電流 - 出力/チャンネル | 75mA |
電圧 - 供給スパン (最小) | 2.7V |
電圧 - 供給スパン (最大) | 16V |
動作温度 | -40℃~125℃(TA) |
取付タイプ | 表面実装 |
パッケージ・ケース | 8-TSSOP、8-MSOP (0.118インチ、3.00mm幅) |
サプライヤーデバイスパッケージ | 8-VSSOP |
の特徴TLV9152QDGKRQ1
• 車載アプリケーション向けに AEC-Q100 認定済み
– 温度グレード 1: –40°C ~ +125°C、TA
– デバイス HBM ESD 分類レベル 3A
– デバイス CDM ESD 分類レベル C6
• 低いオフセット電圧: ±125 μV
• 低いオフセット電圧ドリフト: ±0.3 µV/°C
• 低ノイズ: 1 kHz で 10.8 nV/√Hz
• 高いコモンモード除去: 120 dB
• 低バイアス電流: ±10 pA
• レールツーレール入出力
• 広い帯域幅: 4.5 MHz GBW
• 高スルーレート: 21 V/μs
• 低い自己消費電流: アンプあたり 560 µA
• 幅広い電源: ±1.35 V ~ ±8 V、2.7 V ~ 16 V
• 堅牢な EMIRR 性能: 入力ピン上の EMI/RFI フィルター
アプリケーション のTLV9152QDGKRQ1
• AEC-Q100 グレード 1 アプリケーション向けに最適化
• インフォテイメントとクラスター
• 受動的安全性
• ボディエレクトロニクスと照明
• HEV/EV インバーターおよびモーター制御
• オンボード (OBC) およびワイヤレス充電器
• パワートレイン電流センサー
• 先進運転支援システム (ADAS)
• ハイサイドおよびローサイドの電流検出
環境および輸出の分類TLV9152QDGKRQ1
属性 | 説明 |
RoHS ステータス | 適用できない |
感湿性レベル (MSL) | 1 (無制限) |
ECCN | EAR99 |
HTSUS | 8542.33.0001 |

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