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詳細情報 |
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| FETのタイプ: | P-Channel | 流出させなさいに源の電圧（Vdss）: | 30ボルト |
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| 現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C: | 760mA （Ta） | ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）: | 4.5V、10V |
| （最高） @ ID、VgsのRds: | 600mOhm @ 600mA、10V | Vgs （（最高） Th） @ ID: | 1V @ 250µA |
| ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs: | 5.1 NC @ 10ボルト | Vgs （最高）: | ±20V |
| 入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds: | 75 pF @ 25 V | 電力損失（最高）: | 540mW （Ta） |
製品の説明
IRLML5103TRPBF 電子部品 MOSFET Pチャンネル 30V 760mA 540mW
MOSFET P-CH 30V 760MA SOT23
仕様IRLML5103TRPBF
| タイプ | 記述 |
| カテゴリー | シングルFET,MOSFET |
| Mfr | インフィニオン・テクノロジーズ |
| シリーズ | HEXFET® |
| パッケージ | テープ&ロール (TR) |
| 製品の状況 | アクティブ |
| FETタイプ | Pチャンネル |
| テクノロジー | MOSFET (金属酸化物) |
| 流出電圧から源電圧 (Vdss) | 30V |
| 電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C | 760mA (Ta) |
| 駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン) | 4.5V,10V |
| Rdsオン (最大) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 600mA, 10V |
| Vgs(th) (最大) @ Id | 1V @ 250μA |
| ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs | 5.1 nC @ 10V |
| Vgs (最大) | ±20V |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 75 pF @ 25 V |
| FET 特徴 | - |
| 電力消耗 (最大) | 540mW (Ta) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| マウントタイプ | 表面マウント |
| 供給者のデバイスパッケージ | Micro3TM/SOT-23 |
| パッケージ/ケース | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 基本製品番号 | IRLML5103 |
特徴IRLML5103TRPBF
*第5世代技術
* 超低電阻
*PチャネルMOSFET
*SOT-23フットプリント
低プロフィール (<1.1mm)
* テープ と ロール で 入手 でき ます
* 速やかに切り替える
* 鉛のない
* RoHS 準拠,ハロゲンフリー
詳細についてIRLML5103TRPBF
International Rectifierの第5世代HEXFETは,高度な加工技術を活用して,シリコン面積あたり非常に低い電圧抵抗を達成します.この利点です.HEXFET パワー MOSFET がよく知られている設計者は,非常に効率的で信頼性の高い装置を様々な用途で使用できます.
環境と輸出分類IRLML5103TRPBF
| ATRIBUTE について | 記述 |
| RoHS 状態 | ROHS3 に準拠 |
| 湿度感度レベル (MSL) | 1 (無制限) |
| REACH ステータス | REACH 影響を受けない |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
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