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詳細情報 |
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| FETのタイプ: | N-Channel | テクノロジー: | MOSFET （金属酸化物） |
|---|---|---|---|
| 流出させなさいに源の電圧（Vdss）: | 30V | 現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C: | 3.9A (Tc) |
| ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）: | 2.5V、10V | （最高） @ ID、VgsのRds: | 58mOhm @ 3.1A, 10V |
| Vgs （（最高） Th） @ ID: | 1.4V @ 250µA | ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs: | 12 NC @ 10ボルト |
| Vgs （最高）: | ±12V | 電力損失（最高）: | 2.8W (Tc) |
製品の説明
CG3 2.7L ガス放出管 2700V 5000A (5kA) 2ポール 穴を通る
GDT 2700V 5KA 2 ポール TH
仕様SI1416EDH-T1-GE3
| タイプ | 記述 |
| カテゴリー | シングルFET,MOSFET |
| Mfr | ビシャイ シリコンニックス |
| シリーズ | トレンチFET® |
| パッケージ | テープ&ロール (TR) |
| 製品の状況 | アクティブ |
| FETタイプ | Nチャンネル |
| テクノロジー | MOSFET (金属酸化物) |
| 流出電圧から源電圧 (Vdss) | 30V |
| 電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C | 3.9A (Tc) |
| 駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン) | 2.5V,10V |
| Rdsオン (最大) @ Id, Vgs | 58mOhm @ 3.1A, 10V |
| Vgs(th) (最大) @ Id | 1.4V @ 250μA |
| ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Vgs (最大) | ±12V |
| FET 特徴 | - |
| 電力消耗 (最大) | 2.8W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| マウントタイプ | 表面マウント |
| 供給者のデバイスパッケージ | SC-70-6 |
| パッケージ/ケース | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 について |
| 基本製品番号 | SI1416 |
SI1416EDH-T1-GE3の特徴
• トレンチFET® パワー MOSFET
• HBM での典型的なESD保護 1500 V
• 100% Rg が検査されました
SI1416EDH-T1-GE3の注記
• スマート 携帯電話 や タブレット コンピューター の よう な 携帯 デバイス
- DC/DC変換機
- 高周波スイッチ
- OVP スイッチ
- 負荷スイッチ
環境と輸出分類SI1416EDH-T1-GE3
| ATRIBUTE について | 記述 |
| RoHS 状態 | ROHS3 に準拠 |
| 湿度感度レベル (MSL) | 1 (無制限) |
| REACH ステータス | REACH 影響を受けない |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
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