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詳細情報 |
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| FETのタイプ: | N-Channel | テクノロジー: | MOSFET （金属酸化物） |
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| 流出させなさいに源の電圧（Vdss）: | 40ボルト | 現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C: | 30A （Tc） |
| ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）: | 4.5V、10V | （最高） @ ID、VgsのRds: | 10.5mOhm @ 15A, 10V |
| Vgs （（最高） Th） @ ID: | 2.5V @ 250µA | ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs: | 31 NC @ 10ボルト |
| Vgs （最高）: | ±20V | 入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds: | 1160 pF @ 20 V |
| ハイライト: | SIR426DP-T1-GE3,SIR426DP-T1-GE3 モスフェット,表面マウント Nチャネル MOSFET |
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製品の説明
SIR426DP-T1-GE3 MOSFETs Nチャネル 40 V 30A 4.8W 41.7W 表面マウント パワーパック®
MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8
仕様SIR426DP-T1-GE3
| タイプ | 記述 |
| カテゴリー | シングルFET,MOSFET |
| Mfr | ビシャイ シリコンニックス |
| シリーズ | トレンチFET® |
| パッケージ | テープ&ロール (TR) |
| 切断テープ (CT) | |
| 製品の状況 | アクティブ |
| FETタイプ | Nチャンネル |
| テクノロジー | MOSFET (金属酸化物) |
| 流出電圧から源電圧 (Vdss) | 40V |
| 電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| 駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン) | 4.5V,10V |
| Rdsオン (最大) @ Id, Vgs | 10.5mOhm @ 15A, 10V |
| Vgs(th) (最大) @ Id | 2.5V @ 250μA |
| ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs | 31 nC @ 10 V |
| Vgs (最大) | ±20V |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 1160 pF @ 20 V |
| FET 特徴 | - |
| 電力消耗 (最大) | 4.8W (Ta), 41.7W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| マウントタイプ | 表面マウント |
| 供給者のデバイスパッケージ | パワーPAK® SO-8 |
| パッケージ/ケース | パワーPAK® SO-8 |
| 基本製品番号 | SIR426 |
特徴SIR426DP-T1-GE3
• トレンチFET® パワー MOSFET
• 100% Rg と UIS テスト
適用するSIR426DP-T1-GE3
• DC/DC 変換機
- シンクロン・バック
- シンクロン矯正器
環境と輸出分類SIR426DP-T1-GE3
| ATRIBUTE について | 記述 |
| RoHS 状態 | ROHS3 に準拠 |
| 湿度感度レベル (MSL) | 1 (無制限) |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
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