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詳細情報 |
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| FETのタイプ: | N-Channel | テクノロジー: | MOSFET （金属酸化物） |
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| 流出させなさいに源の電圧（Vdss）: | 100V | 現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C: | 42A （Tc） |
| ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）: | 10V | （最高） @ ID、VgsのRds: | 18mOhm @ 33A, 10V |
| Vgs （（最高） Th） @ ID: | 4V @ 250µA | ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs: | 100 NC @ 10ボルト |
| Vgs （最高）: | ±20V | 入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds: | 2930 pF @ 25 V |
| ハイライト: | IRFR3710ZTRPBF,IRFR3710ZTRPBF 電子部品,100V 42A NチャネルMOSFET |
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製品の説明
IRFR3710ZTRPBF 電子部品 Nチャンネル 100 V 42A (Tc) 140W (Tc) D-Pak
MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
仕様IRFR3710ZTRPBF
| タイプ | 記述 |
| カテゴリー | シングルFET,MOSFET |
| Mfr | インフィニオン・テクノロジーズ |
| シリーズ | HEXFET® |
| パッケージ | テープ&ロール (TR) |
| 製品の状況 | アクティブ |
| FETタイプ | Nチャンネル |
| テクノロジー | MOSFET (金属酸化物) |
| 流出電圧から源電圧 (Vdss) | 100V |
| 電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C | 42A (Tc) |
| 駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン) | 10V |
| Rdsオン (最大) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 33A, 10V |
| Vgs(th) (最大) @ Id | 4V @ 250μA |
| ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs | 100 nC @ 10 V |
| Vgs (最大) | ±20V |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 2930 pF @ 25 V |
| FET 特徴 | - |
| 電力消耗 (最大) | 140W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C~175°C (TJ) |
| マウントタイプ | 表面マウント |
| 供給者のデバイスパッケージ | D-パック |
| パッケージ/ケース | TO-252-3,DPak (2リード+タブ),SC-63 |
| 基本製品番号 | IRFR3710 |
特徴IRFR3710ZTRPBF
* 先進的なプロセス技術
* 超低抵抗
* 175°C 動作温度
* 速やかに切り替える
*Tjmaxまで繰り返される雪崩
*複数のパッケージオプション
* 鉛のない
IRFR3710ZTRPBFの適用
このHEXFET® パワー MOSFETは,シリコン面積あたり非常に低い電阻を達成するために最新の処理技術を使用しています.この設計の追加の特徴は, 175°Cの交差点動作温度ですこの特徴は,この設計を非常に効率的で信頼性の高い装置に,様々な用途で使用するために組み合わせています.
環境と輸出分類IRFR3710ZTRPBF
| ATRIBUTE について | 記述 |
| RoHS 状態 | ROHS3 に準拠 |
| 湿度感度レベル (MSL) | 1 (無制限) |
| REACH ステータス | REACH 影響を受けない |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
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