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詳細情報 |
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| FETのタイプ: | N-Channel | 流出させなさいに源の電圧（Vdss）: | 60ボルト |
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| 現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C: | 60A （Tc） | ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）: | 4.5V、10V |
| （最高） @ ID、VgsのRds: | 2.7mOhm @ 20A, 10V | Vgs （（最高） Th） @ ID: | 2.5V @ 250µA |
| ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs: | 96 nC @ 10 V | Vgs （最高）: | ±20V |
| 入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds: | 4365 pF @ 30 V | 電力損失（最高）: | 6.25W (Ta),104W (Tc) |
| ハイライト: | SIR662DP-T1-GE3,NチャネルMOSFET 60V |
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製品の説明
SIR662DP-T1-GE3 Nチャネル MOSFET 60V 60A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc)
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8 表面マウント PowerPAK® SO-8
仕様SIR662DP-T1-GE3
| タイプ | 記述 |
| カテゴリー | 離散半導体製品 |
| シングルFET,MOSFET | |
| Mfr | ビシャイ シリコンニックス |
| シリーズ | トレンチFET® |
| パッケージ | テープ&ロール (TR) |
| 製品の状況 | アクティブ |
| FETタイプ | Nチャンネル |
| テクノロジー | MOSFET (金属酸化物) |
| 流出電圧から源電圧 (Vdss) | 60V |
| 電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
| 駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン) | 4.5V,10V |
| Rdsオン (最大) @ Id, Vgs | 2.7mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs(th) (最大) @ Id | 2.5V @ 250μA |
| ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs | 96 nC @ 10 V |
| Vgs (最大) | ±20V |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 4365 pF @ 30 V |
| FET 特徴 | - |
| 電力消耗 (最大) | 6.25W (Ta),104W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| マウントタイプ | 表面マウント |
| 供給者のデバイスパッケージ | パワーPAK® SO-8 |
| パッケージ/ケース | パワーPAK® SO-8 |
| 基本製品番号 | SIR662 |
特徴SIR662DP-T1-GE3
• トレンチFET® パワー MOSFET
• 100% Rg と UIS テスト
低Qgで高効率
適用するSIR662DP-T1-GE3
• 主要側スイッチ
• POL
• シンクロン直線器
• DC/DC変換器
• 娯楽 システム
• 産業
• LED バックライト
環境と輸出分類SIR662DP-T1-GE3
| ATRIBUTE について | 記述 |
| RoHS 状態 | ROHS3 に準拠 |
| 湿度感度レベル (MSL) | 1 (無制限) |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
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