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詳細情報 |
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| タイプ: | 1 | 電圧 - 入力 (最大): | 10V |
|---|---|---|---|
| 電圧 - 出力 (分/固定): | 1.25V | 電圧 - 出力 (最大): | 9V |
| 電流 - 出力: | 1A | 電流 - 静止 (Iq): | 55 µA |
| 電流 - 供給量 (最大): | 100μA | PSRR: | 55dB （120Hz） |
| ハイライト: | LQH55DN6R8M03L,無遮蔽ドラムコアワイアワンドインダクタ |
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製品の説明
LQH55DN6R8M03L 6.8 μH 遮蔽されていないドラムコアワイアワンドインデューサー 2 A 103.6mOhm
仕様LQH55DN6R8M03L
| タイプ | 記述 |
| カテゴリー | 誘導器,コイル,ストローク |
| 固定インダクタ | |
| Mfr | 村田電子 |
| シリーズ | LQH55 |
| パッケージ | テープ&ロール (TR) |
| 切断テープ (CT) | |
| 製品の状況 | アクティブ |
| タイプ | ドラム・コア ワイヤーワンド |
| 材料 - 核 | フェライト |
| 誘導力 | 6.8 μH |
| 許容性 | ±20% |
| 定位電流 (アンプ) | 0.083333333 |
| 電流 - 飽和度 (Isat) | - |
| シールド | 遮蔽されていない |
| DC抵抗 (DCR) | 103.6mOhm マックス |
| Q @ Freq | - |
| 周波数 - 自己共鳴 | 25MHz |
| 格付け | - |
| 動作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 誘導周波数 - 試験 | 1 MHz |
| マウントタイプ | 表面マウント |
| パッケージ/ケース | 2220 (5750 メトリック) |
| 供給者のデバイスパッケージ | 2220 (5650 メートリック) |
| サイズ / 寸法 | 0.224"L x 0.197"W (5.70mm x 5.00mm) |
| 高さ - 座席 (最大) | 0.197" (5.00mm) |
| 基本製品番号 | LQH55DN |
特徴LQH55DN6R8M03L
・操作温度範囲 -40~+80°C
・貯蔵温度範囲 -40~+85°C
適用するLQH55DN6R8M03L
この基準仕様は,LQH55DNシリーズ,チップコイル (チップインダクター) に適用されます.
環境と輸出分類LQH55DN6R8M03L
| ATRIBUTE について | 記述 |
| RoHS 状態 | ROHS3 に準拠 |
| 湿度感度レベル (MSL) | 1 (無制限) |
| REACH ステータス | REACH 影響を受けない |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8504.50.4000 |
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