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詳細情報 |
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| FETタイプ: | Nチャンネル | テクノロジー: | MOSFET （金属酸化物） |
|---|---|---|---|
| 流出電圧から源電圧 (Vdss): | 60V | 電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C: | 2.6A （Tj） |
| 駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン): | 4.5V、10V | Rdsオン (最大) @ Id, Vgs: | 90mOhm @ 2.6A、10V |
| Vgs(th) (最大) @ Id: | 2V @ 20µA | ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs: | 20 NC @ 10ボルト |
| Vgs (最大): | ±20V | ||
製品の説明
BSP318S H6327 Nチャンネル 60 V 2.6A (Tj) 1.8W (Ta) 表面マウント PG-SOT223-4
仕様 BSP318S H6327
| タイプ | 記述 |
| カテゴリー | 離散半導体製品 |
| トランジスタ | |
| FET,MOSFET | |
| シングルFET,MOSFET | |
| Mfr | インフィニオン・テクノロジーズ |
| シリーズ | SIPMOS® |
| パッケージ | テープ&ロール (TR) |
| 切断テープ (CT) | |
| 製品の状況 | 最後の買い物 |
| FETタイプ | Nチャンネル |
| テクノロジー | MOSFET (金属酸化物) |
| 流出電圧から源電圧 (Vdss) | 60V |
| 電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C | 2.6A (Tj) |
| 駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン) | 4.5V,10V |
| Rdsオン (最大) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 2.6A, 10V |
| Vgs(th) (最大) @ Id | 2V @ 20μA |
| ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Vgs (最大) | ±20V |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 380 pF @ 25 V |
| FET 特徴 | - |
| 電力消耗 (最大) | 1.8W (Ta) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| マウントタイプ | 表面マウント |
| 供給者のデバイスパッケージ | PG-SOT223-4 |
| パッケージ/ケース | TO-261-4, TO-261AA について |
| 基本製品番号 | BSP318 |
特徴BSP318S H6327
• Nチャンネル
• 強化モード
• 雪崩 評価
• 論理 的 な レベル
• DVD/dt ランキング
• Pb のない鉛塗装; RoHS に準拠
• AEC Q101 に基づいて資格を取得
環境と輸出分類BSP318S H6327
| ATRIBUTE について | 記述 |
| RoHS 状態 | ROHS3 に準拠 |
| 湿度感度レベル (MSL) | 1 (無制限) |
| REACH ステータス | REACH 影響を受けない |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
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