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詳細情報 |
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| FETタイプ: | Nチャンネル | テクノロジー: | MOSFET （金属酸化物） |
|---|---|---|---|
| 流出電圧から源電圧 (Vdss): | 30V | 25V: | 14A (Ta),44A (Tc) |
| 駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン): | 3V,8V | Rdsオン (最大) @ Id, Vgs: | 10.3mOhm @ 10A, 8V |
| Vgs(th) (最大) @ Id: | 1.8V @ 250µA | ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs: | 5.1 nC @ 4.5 V |
| Vgs (最大): | +10V, -8V | ||
製品の説明
CSD17308Q3 Nチャネル 30V 14A 44A 2.7W 表面マウント 8-VSON-CLIP
仕様 CSD17308Q3
| タイプ | 記述 |
| カテゴリー | 離散半導体製品 |
| トランジスタ | |
| FET,MOSFET | |
| シングルFET,MOSFET | |
| Mfr | テキサス・インストラクション |
| シリーズ | NexFETTM |
| パッケージ | テープ&ロール (TR) |
| 切断テープ (CT) | |
| 製品の状況 | アクティブ |
| FETタイプ | Nチャンネル |
| テクノロジー | MOSFET (金属酸化物) |
| 流出電圧から源電圧 (Vdss) | 30V |
| 電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C | 14A (Ta),44A (Tc) |
| 駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン) | 3V,8V |
| Rdsオン (最大) @ Id, Vgs | 10.3mOhm @ 10A, 8V |
| Vgs(th) (最大) @ Id | 1.8V @ 250μA |
| ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs | 5.1 nC @ 4.5 V |
| Vgs (最大) | +10V, -8V |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 700 pF @ 15 V |
| FET 特徴 | - |
| 電力消耗 (最大) | 2.7W (Ta) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| マウントタイプ | 表面マウント |
| 供給者のデバイスパッケージ | 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN |
| 基本製品番号 | CSD17308 |
特徴FDV301N
• 5Vゲートドライブに最適化
超低QgとQgd
• 熱抵抗 が 低い
• 雪崩 評価
• 鉛 の ない 末端 塗装
• RoHS に準拠する
• ハロゲンなし
• VSON 3.3 mm × 3.3 mm プラスチックパッケージ
適用するFDV301N
• ノートブック の 負荷 点
• ネットワーク,通信,コンピューティングシステムにおける 負荷点同期バック
環境と輸出分類FDV301N
| ATRIBUTE について | 記述 |
| RoHS 状態 | ROHS3 に準拠 |
| 湿度感度レベル (MSL) | 1 (無制限) |
| REACH ステータス | REACH 影響を受けない |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
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