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詳細情報 |
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| トランジスター タイプ: | NPN | 現在-コレクター（（最高） IC）: | 500 mA |
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| 電圧-コレクターのエミッターの故障（最高）: | 60V | Vceの飽和（最高） @ Ib、IC: | 300mV @ 10mA、100mA |
| 現在-コレクターの締切り（最高）: | 1μA (ICBO) | DCの現在の利益（hFE） （分） @ IC、Vce: | 120 @ 50mA 2V |
| パワー - マックス: | 200 MW | 頻度-転移: | 300MHz |
製品の説明
2SC5876 T106Q 双極トランジスタ NPN 60 V 500 mA 300MHz 200 mW 表面マウント
仕様 2SC5876 T106Q
| タイプ | 記述 |
| カテゴリー | 離散半導体製品 |
| トランジスタ | |
| 双極性 (BJT) | |
| 単極性トランジスタ | |
| Mfr | ローム半導体 |
| シリーズ | - |
| パッケージ | テープ&ロール (TR) |
| 切断テープ (CT) | |
| 製品の状況 | 新しい デザイン の ため の もの で は ない |
| トランジスタタイプ | NPN |
| 電流 - コレクター (Ic) (最大) | 500mA |
| 電圧 - コレクターエミッター分解 (最大) | 60V |
| Vce 飽和度 (最大) @ Ib, Ic | 300mV @ 10mA, 100mA |
| 電流 - コレクター切断値 (最大) | 1μA (ICBO) |
| DC電流増幅 (hFE) (分) @ Ic, Vce | 120 @ 50mA 2V |
| パワー - マックス | 200mW |
| 頻度 - 移行 | 300MHz |
| 動作温度 | 150°C (TJ) |
| マウントタイプ | 表面マウント |
| パッケージ/ケース | SC-70,SOT-323 |
| 供給者のデバイスパッケージ | UMT3 |
| 基本製品番号 | 2SC5876 |
特徴 2SC5876 T106Q
1) 高速スイッチ (Tf:Typ:80ns IC=500mA)
2) 低飽和電圧,典型的には (IC=100mA,IB=10mAでタイプ:150mV)
3) 誘導負荷と容量負荷に対する強い放電力
4) 2SA2088を補完する.
適用する 2SC5876 T106Q
低周波アンプ,高速スイッチング
環境と輸出分類2SC5876 T106Q
| RoHS 状態 | ROHS3 に準拠 |
| 湿度感度レベル (MSL) | 1 (無制限) |
| REACH ステータス | REACH 影響を受けない |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.21.0075 |
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