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詳細情報 |
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| テクノロジー: | MOSFET （金属酸化物） | 構成: | 2 N-Channel （二重） |
|---|---|---|---|
| 流出電圧から源電圧 (Vdss): | 60V | 電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C: | 230mA (Ta) |
| Rdsオン (最大) @ Id, Vgs: | 7.5オーム @ 50mA、5V | Vgs(th) (最大) @ Id: | 2V @ 250µA |
製品の説明
2N7002DWQ-13-F モスフェット配列 60V 230mA (Ta) 310mW (Ta) 表面マウント SOT-363
仕様 2N7002DWQ-13-F
| タイプ | 記述 |
| カテゴリー | 離散半導体製品 |
| トランジスタ | |
| FET,MOSFET | |
| FET,MOSFET配列 | |
| Mfr | ディオード組み込み |
| シリーズ | 自動車,AEC-Q101 |
| パッケージ | テープ&ロール (TR) |
| 製品の状況 | アクティブ |
| テクノロジー | MOSFET (金属酸化物) |
| 構成 | 2 Nチャンネル (ダブル) |
| FET 特徴 | - |
| 流出電圧から源電圧 (Vdss) | 60V |
| 電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C | 230mA (Ta) |
| Rdsオン (最大) @ Id, Vgs | 7.5Ohm @ 50mA, 5V |
| Vgs(th) (最大) @ Id | 2V @ 250μA |
| ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs | - |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 50pF @ 25V |
| パワー - マックス | 310mW (Ta) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| マウントタイプ | 表面マウント |
| パッケージ/ケース | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 について |
| 供給者のデバイスパッケージ | SOT-363 |
| 基本製品番号 | 2N7002 |
特徴 2N7002DWQ-13-F
• 二重 N チャンネル MOSFET
• 抵抗 が 低い
• 低ゲート 限界 電圧
• 低入力容量
• 速やかに 切り替える
• 低入力/出力漏れ
• 超小面積のマウントパッケージ
• 完全に鉛のない,完全にRoHS準拠 (注1)
• ハロゲンとアンチモンなし. 緑色 装置 (注3)
適用する 2N7002DWQ-13-F
• 運動 制御
• 電力管理機能
環境・輸出分類について2N7002DWQ-13-F
| ATRIBUTE について | 記述 |
| RoHS 状態 | ROHS3 に準拠 |
| 湿度感度レベル (MSL) | 1 (無制限) |
| REACH ステータス | REACH 影響を受けない |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
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