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詳細情報 |
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| テクノロジー: | スタンダード | 電圧 - 直流逆 (Vr) (最大): | 200V |
|---|---|---|---|
| 電流 - 調整された平均 (Io): | 250mA | 電圧 - 前向き (Vf) (最大): | 1.25V @ 200mA |
| スピード: | 速復 = < 500ns, > 200mA (Io) | 逆回復時間 (trr): | 50 ns |
| 電流 - 逆流出 @ Vr: | 100nA @ 200V | 容量 @ Vr, F: | 1.5pF @ 0V、1MHz |
製品の説明
AT91SAM7X512B-AU ARM7® SAM7X マイクロコントローラIC 16/32-ビット 55MHz 512KB FLASH
仕様 BAV21WS-HE3-18
| タイプ | 記述 |
| カテゴリー | 離散半導体製品 |
| ダイオード | |
| 矯正器 | |
| シングルダイオード | |
| Mfr | ヴィシェイ・ジェネラル・セミコンダクター - ダイオード部門 |
| シリーズ | 自動車,AEC-Q101 |
| パッケージ | テープ&ロール (TR) |
| 切断テープ (CT) | |
| 製品の状況 | アクティブ |
| テクノロジー | スタンダード |
| 電圧 - 直流逆 (Vr) (最大) | 200V |
| 電流 - 調整された平均 (Io) | 250mA |
| 電圧 - 前向き (Vf) (最大) | 1.25V @ 200mA |
| スピード | 速復 = < 500ns, > 200mA (Io) |
| 逆回復時間 (trr) | 50 ns |
| 電流 - 逆流出 @ Vr | 100nA @ 200V |
| 容量 @ Vr, F | 1.5pF @ 0V, 1MHz |
| マウントタイプ | 表面マウント |
| パッケージ/ケース | SC-76,SOD-323 |
| 供給者のデバイスパッケージ | SOD-323 |
| 動作温度 - 交差点 | 150°C (最大) |
| 基本製品番号 | BAV21 |
特徴 BAV21WS-HE3-18
* ARM7TDMI ARM Thumb® プロセッサを搭載しています
- 高性能 32 ビット RISC アーキテクチャ
- 高密度の16ビット命令セット
- MIPS/Watt のリーダー
- EmbeddedICETM In-circuit エミュレーション,デバッグ通信チャネルサポート
* 内部高速フラッシュ
- 512 Kbytes (SAM7X512) 256 Bytes の 1024 ページ の 2 つの 銀行 に 組織 さ れ て いる (二重 平面)
- 256Kbytes (SAM7X256) 256バイトの1024ページ (単一平面) で整理
- 128 Kbyte (SAM7X128) 256 バイトの 512 ページ (単一平面) で整理
- 最悪の状況で最大30MHzのシングルサイクルアクセス
- プリフェッチバッファ 最大速度でインスタント命令の実行を最適化
- ページのプログラミング時間: 6 ms,ページの自動削除を含む,完全な削除時間: 15 ms
- 10,000 書き込みサイクル, 10 年間のデータ保持能力,セクターロック能力,フラッシュセキュリティビット
- 高量生産のための高速フラッシュプログラミングインターフェース
* 内部高速SRAM,最大速度で単回回アクセス
- 128kbytes (SAM7X512) について
- 64Kバイト (SAM7X256)
- 32kBytes (SAM7X128)
適用する BAV21WS-HE3-18
ケース:SOD-323
体重: 約4.3 mg
パッケージコード/オプション:
13インチリール (8mmテープ) あたり 18/10K 10K/箱
8インチリール (8ミリテープ) 単位で08/3K 15K/箱
環境問題輸出分類 BAV21WS-HE3-18
| ATRIBUTE について | 記述 |
| RoHS 状態 | ROHS3 に準拠 |
| 湿度感度レベル (MSL) | 1 (無制限) |
| REACH ステータス | REACH 影響を受けない |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.10.0070 |
