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詳細情報 |
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| テクノロジー: | MOSFET （金属酸化物） | 流出電圧から源電圧 (Vdss): | 150V |
|---|---|---|---|
| 電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C: | 92A (Tc) | 駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン): | 10V |
| Rdsオン (最大) @ Id, Vgs: | 11mOhm @ 92A, 10V | Vgs(th) (最大) @ Id: | 4V @ 250µA |
| ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs: | 61 NC @ 10ボルト | Vgs (最大): | ±20V |
製品の説明
FDB110N15A Nチャネル 150 V 92A (Tc) 234W (Tc) 表面マウント D2PAK (TO-263)
仕様 FDB110N15A
| タイプ | 記述 |
| カテゴリー | 離散半導体製品 |
| トランジスタ | |
| FET,MOSFET | |
| シングルFET,MOSFET | |
| Mfr | 一半 |
| シリーズ | パワー トレンチ® |
| パッケージ | テープ&ロール (TR) |
| 切断テープ (CT) | |
| FETタイプ | Nチャンネル |
| テクノロジー | MOSFET (金属酸化物) |
| 流出電圧から源電圧 (Vdss) | 150V |
| 電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C | 92A (Tc) |
| 駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン) | 10V |
| Rdsオン (最大) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 92A, 10V |
| Vgs(th) (最大) @ Id | 4V @ 250μA |
| ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs | 61 nC @ 10 V |
| Vgs (最大) | ±20V |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 4510 pF @ 75 V |
| FET 特徴 | - |
| 電力消耗 (最大) | 234W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C~175°C (TJ) |
| マウントタイプ | 表面マウント |
| 供給者のデバイスパッケージ | D2PAK (TO-263) |
| パッケージ/ケース | TO-263-3,D2Pak (2リード+タブ),TO-263AB |
| 基本製品番号 | FDB110 |
特徴 FDB110N15A
RDS (オン) = 9.25 mΩ (タイプ) @ V GS = 10 V,ID = 92 A
• 速やかに 切り替える
• 低ゲート 料金
• 非常に低いRDSのための高性能トレント技術 (オン)
• 高電力,電流処理能力
• RoHS に 準拠 する
適用する FDB110N15A
ATX / サーバー / テレコム PSU の同期 修正
• バッテリー の 保護 回路
• モーター 駆動 と 断続 的 な 電力 供給
• マイクロソーラー インバーター
環境問題輸出分類 FDB110N15A
| ATRIBUTE について | 記述 |
| RoHS 状態 | ROHS3 に準拠 |
| 湿度感度レベル (MSL) | 1 (無制限) |
| REACH ステータス | REACH 影響を受けない |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
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