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詳細情報 |
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| トランジスタタイプ: | PNP | 現在-コレクター（（最高） IC）: | 0.083333333 |
|---|---|---|---|
| 電圧-コレクターのエミッターの故障（最高）: | 32ボルト | Vceの飽和（最高） @ Ib、IC: | 800mV @ 200mA, 2A |
| 現在-コレクターの締切り（最高）: | 100nA （ICBO） | DCの現在の利益（hFE） （分） @ IC、Vce: | 180 @ 500mA 3V |
| パワー - マックス: | 10W | 頻度-転移: | 100MHz |
| ハイライト: | 2SB1182-TL,2SB1182-TL BJTトランジスタ |
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製品の説明
2SB1182-TL 双極トランジスタ PNP 32 V 2 A 100MHz 10 W 表面マウント CPT3
仕様 2SB1182-TL
| タイプ | 記述 |
| カテゴリー | 離散半導体製品 |
| トランジスタ | |
| 双極性 (BJT) | |
| 単極性トランジスタ | |
| Mfr | ローム半導体 |
| シリーズ | - |
| パッケージ | テープ&ロール (TR) |
| 切断テープ (CT) | |
| トランジスタタイプ | PNP |
| 電流 - コレクター (Ic) (最大) | 0.083333333 |
| 電圧 - コレクターエミッター分解 (最大) | 32V |
| Vce 飽和度 (最大) @ Ib, Ic | 800mV @ 200mA, 2A |
| 電流 - コレクターの切断値 (最大) | 100nA (ICBO) |
| DC電流増幅 (hFE) (分) @ Ic, Vce | 180 @ 500mA 3V |
| パワー - マックス | 10W |
| 頻度 - 移行 | 100MHz |
| 動作温度 | 150°C (TJ) |
| マウントタイプ | 表面マウント |
| パッケージ/ケース | TO-252-3,DPak (2リード+タブ),SC-63 |
| 供給者のデバイスパッケージ | CPT3 |
| 基本製品番号 | 2SB1182 |
特徴 2SB1182-TL
1) 低VCE (sat) VCE (sat) = ¥0.5V (タイプ) (IC/IB = ¥2A / ¥0.2A)
2) 2SD1758 / 2SD1862を補完する
適用する 2SB1182-TL
*上軸平面型
* PNP シリコントランジスタ
環境と輸出分類2SB1182-TL
| ATRIBUTE について | 記述 |
| RoHS 状態 | ROHS3 に準拠 |
| 湿度感度レベル (MSL) | 1 (無制限) |
| REACH ステータス | REACH 影響を受けない |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0075 |
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