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詳細情報 |
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| 流出電圧から源電圧 (Vdss): | 100V | 電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C: | 700mA （Ta） |
|---|---|---|---|
| 駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン): | 4V、10V | Rdsオン (最大) @ Id, Vgs: | 1.7Ohm @ 700mA 10V |
| Vgs(th) (最大) @ Id: | 2.6V @ 1mA | ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs: | 3.7 nC @ 10V |
| Vgs (最大): | ±20V | 入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds: | 142 pF @ 20 V |
| ハイライト: | CPH3362-TL-W,CPH3362-TL-W PチャネルMOSFETIC |
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製品の説明
CPH3362-TL-W Pチャンネル 100 V 700mA (Ta) 1W (Ta) 表面マウント 3-CPH
仕様CPH3362-TL-W
| タイプ | 記述 |
| カテゴリー | 離散半導体製品 |
| トランジスタ | |
| FET,MOSFET | |
| シングルFET,MOSFET | |
| Mfr | 一半 |
| シリーズ | - |
| パッケージ | テープ&ロール (TR) |
| 切断テープ (CT) | |
| FETタイプ | Pチャンネル |
| テクノロジー | MOSFET (金属酸化物) |
| 流出から源への電圧 (Vdss) | 100V |
| 電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C | 700mA (Ta) |
| 駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン) | 4V,10V |
| Rdsオン (最大) @ Id, Vgs | 1.7Ohm @ 700mA 10V |
| Vgs(th) (最大) @ Id | 2.6V @ 1mA |
| ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs | 3.7 nC @ 10V |
| Vgs (最大) | ±20V |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 142 pF @ 20 V |
| FET 特徴 | - |
| 電力消耗 (最大) | 1W (Ta) |
| 動作温度 | 150°C (TJ) |
| マウントタイプ | 表面マウント |
| 供給者のデバイスパッケージ | 3-CPH |
| パッケージ/ケース | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 基本製品番号 | CPH3362 |
特徴 CPH3362-TL-W
*オン抵抗RDS (オン) 1=1.3Ω (タイプ)
* ハロゲンフリー
* 4Vドライブ
環境と輸出分類CPH3362-TL-W
| ATRIBUTE について | 記述 |
| RoHS 状態 | ROHS3 に準拠 |
| 湿度感度レベル (MSL) | 1 (無制限) |
| REACH ステータス | REACH 影響を受けない |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
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