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詳細情報 |
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| テクノロジー: | MOSFET （金属酸化物） | Rdsオン (最大) @ Id, Vgs: | 3mOhm @ 22A, 10V |
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| 流出電圧から源電圧 (Vdss): | 25V | 電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C: | 22A (Ta),95A (Tc) |
| 駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン): | 4.5V,10V | ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs: | 32 nC @ 4.5 V |
| Vgs(th) (最大) @ Id: | 2.4V @ 50μA | 入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds: | 2880 pF @ 13 V |
製品の説明
IRF6713STRPBF Nチャンネル 25 V 22A (Ta), 95A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc)
仕様IRF6713STRPBF
| タイプ | 記述 |
| カテゴリー | 離散半導体製品 |
| トランジスタ | |
| FET,MOSFET | |
| シングルFET,MOSFET | |
| Mfr | インフィニオン・テクノロジーズ |
| シリーズ | HEXFET® |
| パッケージ | テープ&ロール (TR) |
| FETタイプ | Nチャンネル |
| テクノロジー | MOSFET (金属酸化物) |
| 流出から源への電圧 (Vdss) | 25V |
| 電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C | 22A (Ta),95A (Tc) |
| 駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン) | 4.5V,10V |
| Rdsオン (最大) @ Id, Vgs | 3mOhm @ 22A, 10V |
| Vgs(th) (最大) @ Id | 2.4V @ 50μA |
| ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs | 32 nC @ 4.5 V |
| Vgs (最大) | ±20V |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 2880 pF @ 13 V |
| FET 特徴 | - |
| 電力消耗 (最大) | 2.2W (Ta),42W (Tc) |
| 動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| マウントタイプ | 表面マウント |
| 供給者のデバイスパッケージ | DIRECTFETTM SQ |
| パッケージ/ケース | DirectFETTM イソメトリックSQ |
特徴IRF6713STRPBF
RoHS に準拠し,鉛やブロマイドを含まない
低プロフィール (<0.7mm)
双面冷却対応
超低パケット誘導力
高周波スイッチに最適化
CPUコア DC-DC変換器に最適
Sync.FET と Control FET アプリケーションの両方に最適化
低導電と切換損失
既存の表面マウント技術と互換性がある
100% Rg テスト
詳細についてIRF6713STRPBF
The IRF6713SPbF combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of a MICRO-8 and only 0DirectFET パッケージは,電源アプリケーション,PCB組立機器および蒸気相,赤外線またはコンベクション溶接技術で使用されている既存のレイアウト幾何学と互換性があります.製造方法とプロセスに関して AN-1035 の申請要約に従う場合DirectFET パッケージは,電源システムにおける熱伝達を最大化するために,二面冷却を可能にし,これまでの最高の熱抵抗を80%向上させます.
環境と輸出分類IRF6713STRPBF
| ATRIBUTE について | 記述 |
| 湿度感度レベル (MSL) | 1 (無制限) |
| REACH ステータス | REACH 影響を受けない |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
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