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詳細情報 |
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| FETタイプ: | Nチャンネル | Rdsオン (最大) @ Id, Vgs: | 40mOhm @ 21.5A, 10V |
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| 流出電圧から源電圧 (Vdss): | 100V | 電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C: | 43A （Tc） |
| 駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン): | 10V | Vgs(th) (最大) @ Id: | 4V @ 250µA |
| ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs: | 97 NC @ 10ボルト | Vgs (最大): | ±20V |
製品の説明
IRF6713STRPBF Nチャンネル 25 V 22A (Ta), 95A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc)
仕様IRFP150A
| タイプ | 記述 |
| カテゴリー | 離散半導体製品 |
| トランジスタ | |
| FET,MOSFET | |
| シングルFET,MOSFET | |
| Mfr | 一半 |
| シリーズ | - |
| パッケージ | トューブ |
| FETタイプ | Nチャンネル |
| テクノロジー | MOSFET (金属酸化物) |
| 流出から源への電圧 (Vdss) | 100V |
| 電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C | 43A (Tc) |
| 駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン) | 10V |
| Rdsオン (最大) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 21.5A, 10V |
| Vgs(th) (最大) @ Id | 4V @ 250μA |
| ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs | 97 nC @ 10 V |
| Vgs (最大) | ±20V |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 2270 pF @ 25 V |
| FET 特徴 | - |
| 電力消耗 (最大) | 193W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C~175°C (TJ) |
| マウントタイプ | 穴を抜ける |
| 供給者のデバイスパッケージ | TO-3PN |
| パッケージ/ケース | TO-3P-3,SC-65-3 試聴する |
| 基本製品番号 | IRFP150 |
IRFP150Aの特徴
* 雪崩の頑丈な技術
* 頑丈なゲートオキシド技術
* 入力容量が低い
* ゲートチャージの改善
* 拡張された安全操作区域
* 175 動作温度
* 下流電流: 10A (最大) @ VDS = 100V
* 下 RDS (オン): 0.032 (タイプ)
IRFP150Aの記述
このデータシートには,製品開発のための設計仕様が含まれています.仕様は,予告なしに任意の方法で変更されることがあります.
環境と輸出分類IRFP150A
| ATRIBUTE について | 記述 |
| RoHS 状態 | ROHS3 に準拠 |
| 湿度感度レベル (MSL) | 適用されない |
| REACH ステータス | REACH 影響を受けない |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
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