詳細情報 |
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FETタイプ: | P-Channel | テクノロジー: | MOSFET (金属酸化物) |
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流出電圧から源電圧 (Vdss): | 20V | 電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C: | 100mA (Ta) |
駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン): | 1.2V,4.5V | Rdsオン (最大) @ Id, Vgs: | 3.8Ohm @ 100mA,4.5V |
Vgs(th) (最大) @ Id: | 1V @ 100µA | Vgs (最大): | ±10V |
ハイライト: | RE1C001ZPTL PチャンネルMOSFET,PチャンネルMOSFET 20V 100mA,RE1C001ZPTL |
製品の説明
RE1C001ZPTL Pチャンネル 20V 100mA (Ta) 150mW (Ta) 表面マウント EMT3F (SOT-416FL)
仕様 RE1C001ZPTL
タイプ | 記述 |
カテゴリー | 離散半導体製品 |
トランジスタ | |
FET,MOSFET | |
シングルFET,MOSFET | |
Mfr | ローム半導体 |
シリーズ | - |
パッケージ | テープ&ロール (TR) |
切断テープ (CT) | |
FETタイプ | Pチャンネル |
テクノロジー | MOSFET (金属酸化物) |
流出から源への電圧 (Vdss) | 20V |
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C | 100mA (Ta) |
駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン) | 1.2V,4.5V |
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs | 3.8Ohm @ 100mA,4.5V |
Vgs(th) (最大) @ Id | 1V @ 100μA |
Vgs (最大) | ±10V |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 15 pF @ 10 V |
FET 特徴 | - |
電力消耗 (最大) | 150mW (Ta) |
動作温度 | 150°C (TJ) |
マウントタイプ | 表面マウント |
供給者のデバイスパッケージ | EMT3F (SOT-416FL) |
パッケージ/ケース | SC-89,SOT-490 |
基本製品番号 | RE1C001 |
環境と輸出分類RE1C001ZPTL
ATRIBUTE について | 記述 |
RoHS 状態 | ROHS3 に準拠 |
湿度感度レベル (MSL) | 1 (無制限) |
REACH ステータス | REACH 影響を受けない |
ECCN | EAR99 |
HTSUS | 8541.21.0095 |
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