• RE1C001ZPTL Pチャンネル MOSFET 20 V 100mA (Ta) 150mW (Ta) 表面マウント EMT3F SOT-416FL
RE1C001ZPTL Pチャンネル MOSFET 20 V 100mA (Ta) 150mW (Ta) 表面マウント EMT3F SOT-416FL

RE1C001ZPTL Pチャンネル MOSFET 20 V 100mA (Ta) 150mW (Ta) 表面マウント EMT3F SOT-416FL

商品の詳細:

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モデル番号: RE1C001ZPTL

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詳細情報

FETタイプ: P-Channel テクノロジー: MOSFET (金属酸化物)
流出電圧から源電圧 (Vdss): 20V 電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン): 1.2V,4.5V Rdsオン (最大) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 100mA,4.5V
Vgs(th) (最大) @ Id: 1V @ 100µA Vgs (最大): ±10V
ハイライト:

RE1C001ZPTL PチャンネルMOSFET

,

PチャンネルMOSFET 20V 100mA

,

RE1C001ZPTL

製品の説明

RE1C001ZPTL Pチャンネル 20V 100mA (Ta) 150mW (Ta) 表面マウント EMT3F (SOT-416FL)
 
仕様 RE1C001ZPTL

 

タイプ 記述
カテゴリー 離散半導体製品
  トランジスタ
  FET,MOSFET
  シングルFET,MOSFET
Mfr ローム半導体
シリーズ -
パッケージ テープ&ロール (TR)
  切断テープ (CT)
FETタイプ Pチャンネル
テクノロジー MOSFET (金属酸化物)
流出から源への電圧 (Vdss) 20V
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C 100mA (Ta)
駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン) 1.2V,4.5V
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs 3.8Ohm @ 100mA,4.5V
Vgs(th) (最大) @ Id 1V @ 100μA
Vgs (最大) ±10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds 15 pF @ 10 V
FET 特徴 -
電力消耗 (最大) 150mW (Ta)
動作温度 150°C (TJ)
マウントタイプ 表面マウント
供給者のデバイスパッケージ EMT3F (SOT-416FL)
パッケージ/ケース SC-89,SOT-490
基本製品番号 RE1C001

 


環境と輸出分類RE1C001ZPTL

 

ATRIBUTE について 記述
RoHS 状態 ROHS3 に準拠
湿度感度レベル (MSL) 1 (無制限)
REACH ステータス REACH 影響を受けない
ECCN EAR99
HTSUS 8541.21.0095

 


 

 

 

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