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詳細情報 |
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| FETタイプ: | Nチャンネル | 流出電圧から源電圧 (Vdss): | 100V |
|---|---|---|---|
| 電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C: | 1A （Ta） | 駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン): | 4V、10V |
| Rdsオン (最大) @ Id, Vgs: | 520mOhm @ 1A, 10V | Vgs(th) (最大) @ Id: | 2.5V@1mA |
| ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs: | 3.5 nC @ 5V | Vgs (最大): | ±20V |
| ハイライト: | RSR010N10TL NチャネルMOSFET,表面マウント NチャネルMOSFET,RSR010N10TL |
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製品の説明
RSB16VTE-17 クランプ Ipp Tvs ダイオード 表面マウント UMD2 電子部品
仕様 RSR010N10TL
| タイプ | 記述 |
| カテゴリー | 離散半導体製品 |
| トランジスタ | |
| FET,MOSFET | |
| シングルFET,MOSFET | |
| Mfr | ローム半導体 |
| シリーズ | - |
| パッケージ | テープ&ロール (TR) |
| 切断テープ (CT) | |
| FETタイプ | Nチャンネル |
| テクノロジー | MOSFET (金属酸化物) |
| 流出から源への電圧 (Vdss) | 100V |
| 電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C | 1A (Ta) |
| 駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン) | 4V,10V |
| Rdsオン (最大) @ Id, Vgs | 520mOhm @ 1A, 10V |
| Vgs(th) (最大) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs | 3.5 nC @ 5V |
| Vgs (最大) | ±20V |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 140 pF @ 25 V |
| FET 特徴 | - |
| 電力消耗 (最大) | 540mW (Ta) |
| 動作温度 | 150°C (TJ) |
| マウントタイプ | 表面マウント |
| 供給者のデバイスパッケージ | TSMT3 |
| パッケージ/ケース | SC-96 |
| 基本製品番号 | RSR010 |
環境と輸出分類RSR010N10TL
| ATRIBUTE について | 記述 |
| RoHS 状態 | ROHS3 に準拠 |
| 湿度感度レベル (MSL) | 1 (無制限) |
| REACH ステータス | REACH 影響を受けない |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
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